Impacts of Vertically Stacked Monolithic 3D-IC Process on Characteristics of Underlying Thin-Film Transistor

Ma, William Cheng-Yu ; Huang, Yan-Jia ; et al.

In: IEEE Journal of the Electron Devices Society ; volume 8, page 724-730 ; ISSN 2168-6734, 2020

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Titel:	Impacts of Vertically Stacked Monolithic 3D-IC Process on Characteristics of Underlying Thin-Film Transistor
Autor/in / Beteiligte Person:	Ma, William Cheng-Yu ; Huang, Yan-Jia ; Chen, Po-Jen ; Jhu, Jhe-Wei ; Chang, Yan-Shiuan ; Chang, Ting-Hsuan ; Ministry of Science and Technology (MOST), Taiwan ; Taiwan Semiconductor Research Institute
Link:	https://doi.org/10.1109/jeds.2020.3009350 Volltext
Zeitschrift:	IEEE Journal of the Electron Devices Society ; volume 8, page 724-730 ; ISSN 2168-6734, 2020
Veröffentlichung:	Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2020
Medientyp:	academicJournal
DOI:	10.1109/jeds.2020.3009350
Schlagwort:	Electrical and Electronic Engineering Electronic, Optical and Magnetic Materials Biotechnology
Sonstiges:	Nachgewiesen in: BASE Sprachen: unknown Document Type: article in journal/newspaper Language: unknown Rights: https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/legalcode

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