Realization of regular arrays of nanoscale resistive switching blocks in thin films by Nb-doped STO

Münstermann, R. ; Dittmann, R. ; et al.

In: Applied physics letters 93, 023110 (2008). doi:10.1063/1.2959074, 2008

academicJournal

We report on the realization of short-range-ordered arrays of nanoscale resistive switching blocks in epitaxial Nb-doped SrTiO3 thin films. These blocks can be individually addressed by the tip of a conductive tip atomic force microscope and reversibly switched between a high and a low resistance state reaching an R-off to R-on ratio of up to 50. Scanning micrometer-scale areas with an appropriately biased tip, all blocks within the scanned area can be switched between the two resistive states. We suggest a connection between these nanoscale switching blocks and defect-rich nanoclusters which were detected with high resolution transmission electron microscopy. (C) 2008 American Institute of Physics.

Titel:	Realization of regular arrays of nanoscale resistive switching blocks in thin films by Nb-doped STO
Autor/in / Beteiligte Person:	Münstermann, R. ; Dittmann, R. ; Szot, K. ; Mi, S. ; Jia, C. L. ; Meuffels, P. ; Waser, R.
Link:	https://juser.fz-juelich.de/record/62875 https://juser.fz-juelich.de/search?p=id:%22PreJuSER-62875%22 https://doi.org/10.1063/1.2959074
Zeitschrift:	Applied physics letters 93, 023110 (2008). doi:10.1063/1.2959074, 2008
Veröffentlichung:	American Institute of Physics, 2008
Medientyp:	academicJournal
DOI:	10.1063/1.2959074
Schlagwort:	DE info:eu-repo/classification/ddc/530 Subject Geographic: DE
Sonstiges:	Nachgewiesen in: BASE Sprachen: English Collection: Forschungszentrum Jülich: JuSER (Juelich Shared Electronic Resources) Document Type: article in journal/newspaper Language: English Rights: info:eu-repo/semantics/openAccess

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