栅与源/漏交叠对自对准a-IGZO TFTs性能的影响

肖祥 ; 邵阳 ; et al.

In: 万方 ; http://d.g.wanfangdata.com.cn/Conference_8440045.aspx, 2014

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本文研究了自对准结构非晶铟镓锌氧薄膜晶体管(a-IGZO TFTs)栅极与源极/漏极的交叠长度Lov对器件性能的影响.背面曝光光刻技术被采用以制备自对准的底栅底接触a-IGZO TFTs.通过变化光刻工艺中背面曝光的时间实现了对Lov的调整.当Lov小于0.75 um时，因为源极和漏极的寄生电阻RSD增加，导致器件的电学性能，如场效应迁移率和亚阈值摆幅，退化明显.通过这种方法，在保证器件电学性能未发生明显退化情况下，实现将Lov减至0.9 um.和常规工艺制备的底栅底接触结构a-IGZO TFTs相比，自对准工艺将栅极和源极/漏极间的交叠电容CGS/CGD降低了50％. ; 79-81

Titel:	栅与源/漏交叠对自对准a-IGZO TFTs性能的影响
Autor/in / Beteiligte Person:	肖祥 ; 邵阳 ; 贺鑫 ; 邓伟 ; 岳仑仑 ; 张曙光 ; 张乐陶 ; 王龙彦 ; 张盛东 ; 北京大学,信息工程学院,深圳,518055
Link:	http://hdl.handle.net/20.500.11897/422203 https://doi.org/20.500.11897/422203 Volltext
Zeitschrift:	万方 ; http://d.g.wanfangdata.com.cn/Conference_8440045.aspx, 2014
Veröffentlichung:	2014中国平板显示学术会议, 2014
Medientyp:	Konferenz
DOI:	20.500.11897/422203
Schlagwort:	铟镓锌氧薄膜晶体管自对准背面曝光交叠长度交叠电容
Sonstiges:	Nachgewiesen in: BASE Sprachen: Chinese Collection: Peking University Institutional Repository (PKU IR) / 北京大学机构知识库 Document Type: conference object Language: Chinese Relation: 2014中国平板显示学术会议.南京,2014/10/22.; 1319740; http://hdl.handle.net/20.500.11897/422203

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