Comparative study of In 0.52 Al 0.48 As/In x Ga 1− x As/InP high-electron-mobility transistors with a symmetrically graded and an inversely graded channel

Huang, Dong-Hai ; Hsu, Wei-Chou ; et al.

In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 21 (2006), Heft 6, S. 781-785

academicJournal

Titel:	Comparative study of In 0.52 Al 0.48 As/In x Ga 1− x As/InP high-electron-mobility transistors with a symmetrically graded and an inversely graded channel
Autor/in / Beteiligte Person:	Huang, Dong-Hai ; Hsu, Wei-Chou ; Lin, Yu-Shyan ; Wu, Yue-Huei ; Hsu, Rong-Tay ; Huang, Juin-Chin ; Liao, Yin-Kai
Link:	https://doi.org/10.1088/0268-1242/21/6/012
Zeitschrift:	Semiconductor Science and Technology, Jg. 21 (2006), Heft 6, S. 781-785
Veröffentlichung:	IOP Publishing, 2006
Medientyp:	academicJournal
ISSN:	0268-1242
DOI:	10.1088/0268-1242/21/6/012
Sonstiges:	Nachgewiesen in: BASE Sprachen: unknown Document Type: article in journal/newspaper Language: unknown

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