Analysis using a two-layer model of the transport properties of InGaN epilayers grown on GaN template substrate

Yusof, Ahmad Sauffi ; Ould Saad Hamady, Sidi ; et al.

In: Materials Science in Semiconductor Processing ; volume 144, page 106614 ; ISSN 1369-8001, 2022

academicJournal

Titel:	Analysis using a two-layer model of the transport properties of InGaN epilayers grown on GaN template substrate
Autor/in / Beteiligte Person:	Yusof, Ahmad Sauffi ; Ould Saad Hamady, Sidi ; Chevallier, Christyves ; Fressengeas, Nicolas ; Hassan, Zainuriah ; Ng, Sha Shiong ; Ahmad, Mohd Anas ; Lim, Way Foong ; Che Seliman, Muhd Azi ; Providence Health Care ; Universiti Sains Malaysia
Link:	https://doi.org/10.1016/j.mssp.2022.106614 https://api.elsevier.com/content/article/PII:S1369800122001573?httpAccept=text/xml https://api.elsevier.com/content/article/PII:S1369800122001573?httpAccept=text/plain
Zeitschrift:	Materials Science in Semiconductor Processing ; volume 144, page 106614 ; ISSN 1369-8001, 2022
Veröffentlichung:	Elsevier BV, 2022
Medientyp:	academicJournal
DOI:	10.1016/j.mssp.2022.106614
Schlagwort:	Mechanical Engineering Mechanics of Materials Condensed Matter Physics General Materials Science
Sonstiges:	Nachgewiesen in: BASE Sprachen: English Collection: ScienceDirect (Elsevier - Open Access Articles via Crossref) Document Type: article in journal/newspaper Language: English Rights: https://www.elsevier.com/tdm/userlicense/1.0/ ; http://www.elsevier.com/open-access/userlicense/1.0/

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