Observation of One-Electron Charge in an Enhancement-Mode InAs Single-Electron Transistor at 4.2 K

Jones, G M ; Hu, B H ; et al.

In: DTIC, 2006

academicJournal

We demonstrate experimentally single-electron quantum dots using a single-top-gate transistor configuration on a composite quantum well. The data indicate a 15 meV Coulomb charging energy and a 20 meV orbital energy spacing, which imply a quantum dot of 20 nm in diameter. Combining with the inherent advantage of a large electron g* factor in InAs, our demonstration is significant for a solid state implementation of a scalable quantum computing ; Published in Applied Physics Letters, v88 article ID 192102, 8 May 2006.

Titel:	Observation of One-Electron Charge in an Enhancement-Mode InAs Single-Electron Transistor at 4.2 K
Autor/in / Beteiligte Person:	Jones, G M ; Hu, B H ; Yang, C H ; Yang, M J ; Lyanda-Geller, Y B ; NAVAL RESEARCH LAB WASHINGTON, DC
Link:	http://www.dtic.mil/docs/citations/ADA605577 http://oai.dtic.mil/oai/oai?&verb=getRecord&metadataPrefix=html&identifier=ADA605577
Zeitschrift:	DTIC, 2006
Veröffentlichung:	2006
Medientyp:	academicJournal
Schlagwort:	Electrical and Electronic Equipment Nuclear Physics & Elementary Particle Physics Quantum Theory and Relativity ELECTRONS QUANTUM DOTS QUANTUM WELLS TRANSISTORS INDIUM ARSENIDES QUANTUM COMPUTING SOLID STATE ELECTRONICS COULOMB CHARGING ENERGY SINGLE-ELECTRON QUANTUM DOTS SINGLE-TOP-GATE TRANSISTOR CONFIGURATIONS CQW(COMPOSITE QUANTUM WELLS) QD(QUANTUM DOTS) QPC(QUANTUM POINT CONTACTS) SET(SINGLE-ELECTRON TRANSISTORS)
Sonstiges:	Nachgewiesen in: BASE Sprachen: English Collection: Defense Technical Information Center: DTIC Technical Reports database Document Type: text File Description: text/html Language: English Rights: Approved for public release; distribution is unlimited.

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