全耗尽CMOS/SOI工艺

刘新宇 ; 孙海峰 ; et al.

In: 半导体学报; 刘新宇;孙海峰;刘洪民;陈焕章;扈焕章;海潮和;和致经;吴德馨.全耗尽CMOS/SOI工艺,半导体学报,2003,24(1):104-108;; (2003)

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对全耗尽CMOS/SOI工艺进行了研究，成功地开发出成套全耗尽CMOS/SOI抗辐照工艺，其关键工艺技术包括：氮化H2-O2合成薄栅氧、双栅和注Ge硅化物等技术，经过工艺设计，获得性能良好的抗辐照CMOS/SOI器件和电路（包括101级环振、2000门门海阵列等）其中，nMOS:Vt=0.7V,Vds=4.5-5.2V,μeff=465cm^2/（V·S），PMOS：Vt=-0.8V,Vds=-5～-6.3V,μeff=264cm^2/(V·S），当工作电压为5V时，0.8μm环振单级延迟为45ps。

Titel:	全耗尽CMOS/SOI工艺
Autor/in / Beteiligte Person:	刘新宇 ; 孙海峰 ; 刘洪民 ; 陈焕章 ; 扈焕章 ; 海潮和 ; 和致经 ; 吴德馨
Link:	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17693
Quelle:	半导体学报; 刘新宇;孙海峰;刘洪民;陈焕章;扈焕章;海潮和;和致经;吴德馨.全耗尽CMOS/SOI工艺,半导体学报,2003,24(1):104-108;; (2003)
Veröffentlichung:	2003
Medientyp:	report
Schlagwort:	微电子学
Sonstiges:	Nachgewiesen in: BASE Sprachen: Chinese Collection: Institute of Semiconductors: SEMI OpenIR (Chinese Academy of Sciences) / 中国科学院半导体研究所机构知识库 Document Type: report Language: Chinese

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