InGaAs MOSHEMT W -Band LNAs on Silicon and Gallium Arsenide Substrates

Thome, Fabian ; Heinz, Felix ; et al.

In: IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Jg. 30 (2020), Heft 11, S. 1089-1092

Online academicJournal

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Titel:	InGaAs MOSHEMT W -Band LNAs on Silicon and Gallium Arsenide Substrates
Autor/in / Beteiligte Person:	Thome, Fabian ; Heinz, Felix ; Leuther, Arnulf ; European Union’s Horizon 2020 Research and Innovation Programme
Link:	https://doi.org/10.1109/lmwc.2020.3025674 Volltext
Zeitschrift:	IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Jg. 30 (2020), Heft 11, S. 1089-1092
Veröffentlichung:	Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2020
Medientyp:	academicJournal
ISSN:	1531-1309
DOI:	10.1109/lmwc.2020.3025674
Schlagwort:	Electrical and Electronic Engineering Condensed Matter Physics
Sonstiges:	Nachgewiesen in: BASE Sprachen: unknown Document Type: article in journal/newspaper Language: unknown Rights: https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/legalcode

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