A G band +2 dBm balanced frequency doubler in 55 nm SiGe BiCMOS

Aouimeur, Walid ; Moron Guerra, José ; et al.

In: 2017 IEEE 17th Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems (SiRF) ; https://hal.science/hal-02012682 ; 2017 IEEE 17th Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems (SiRF), Jan 2017, Phoenix, AZ, United States. pp.60-63, ⟨10.1109/SIRF.2017.7874371⟩, 2017

Konferenz

Wie komme ich dran?

International audience ; In this paper, a new balanced frequency doubler based on a Marchand Balun with Coupled Slow-wave Coplanar Wave (CS-CPW) lines in G band is presented and analyzed. The experimental results of the frequency doubler exhibit at 174 GHz a peak output power of +2 dBm associate with a linear conversion gain of -3.8 dB, a frequency bandwidth of 160 to 190 GHz and a DC power consumption of 25 mW. This doubler is fabricated in a 55 nm SiGe BiCMOS technology from STMicroelectronics with f t /f max 320/370 GHz respectively and an area of 1200×700 μm 2 including the pads.

Titel:	A G band +2 dBm balanced frequency doubler in 55 nm SiGe BiCMOS
Autor/in / Beteiligte Person:	Aouimeur, Walid ; Moron Guerra, José ; Serhan, Ayssar ; Lepilliet, Sylvie ; Quémerais, Thomas ; Gloria, Daniel ; Lauga-Larroze, Estelle ; Arnould, Jean-Daniel ; Gaquière, Christophe ; Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN) ; Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF) ; Asygn ; Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC ) ; Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Université Savoie Mont Blanc (USMB Université de Savoie Université de Chambéry )-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes 2016-2019 (UGA 2016-2019 ) ; STMicroelectronics Crolles (ST-CROLLES)
Link:	https://hal.science/hal-02012682 https://doi.org/10.1109/SIRF.2017.7874371
Zeitschrift:	2017 IEEE 17th Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems (SiRF) ; https://hal.science/hal-02012682 ; 2017 IEEE 17th Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems (SiRF), Jan 2017, Phoenix, AZ, United States. pp.60-63, ⟨10.1109/SIRF.2017.7874371⟩, 2017
Veröffentlichung:	HAL CCSD ; IEEE, 2017
Medientyp:	Konferenz
DOI:	10.1109/SIRF.2017.7874371
Schlagwort:	Phoenix AZ United States Frequency measurement Power generation Power amplifiers Power measurement Gain Silicon germanium [SPI.TRON]Engineering Sciences [physics]/Electronics [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics [SPI.ELEC]Engineering Sciences [physics]/Electromagnetism Subject Geographic: Phoenix AZ United States
Sonstiges:	Nachgewiesen in: BASE Sprachen: English Collection: LillOA (HAL Lille Open Archive, Université de Lille) Document Type: conference object Language: English Relation: hal-02012682; https://hal.science/hal-02012682

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