Back-side integration of Hybrid III–V on Silicon DBR lasers

Durel, J. ; Bakir, B. Ben ; et al.

In: 2017 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application (VLSI-TSA) ; https://hal.science/hal-02019688 ; 2017 International Symposium on VLSI Technology, 2017

Konferenz

Wie komme ich dran?

International audience ; In this paper we demonstrate the monolithic integration of a fully CMOS compatible hybrid DBR laser on the backside of a SOI wafer. This innovative approach allowed implementing CMOS compatible electric interconnects and optical sources on a same chip. The optical characterizations confirm the single wavelength behavior of the realized devices which present a SMSR higher than 35 dB and can be tuned over 4 nm, opening the route to a fully integrated optical transceiver on a Si platform.

Titel:	Back-side integration of Hybrid III–V on Silicon DBR lasers
Autor/in / Beteiligte Person:	Durel, J. ; Bakir, B. Ben ; Jany, C. ; Cremer, S. ; Hassan, K. ; Szelag, B. ; Bria, T. ; Larrey, V. ; Sanchez, L. ; Brianceau, P. ; Dallery, J. ; Guiavarch, R. ; Card, T. ; Thibon, R. ; Broquin, J. ; Boeuf, F. ; STMicroelectronics Crolles (ST-CROLLES) ; Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI) ; Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)) ; Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA) ; Vistec Electron Beam GmbH ; Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC ) ; Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Université Savoie Mont Blanc (USMB Université de Savoie Université de Chambéry )-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes 2016-2019 (UGA 2016-2019 )
Link:	https://hal.science/hal-02019688 https://doi.org/10.1109/VLSI-TSA.2017.7942492
Zeitschrift:	2017 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application (VLSI-TSA) ; https://hal.science/hal-02019688 ; 2017 International Symposium on VLSI Technology, 2017
Veröffentlichung:	HAL CCSD ; IEEE, 2017
Medientyp:	Konferenz
DOI:	10.1109/VLSI-TSA.2017.7942492
Schlagwort:	Hsinchu Taiwan [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic Subject Geographic: Hsinchu Taiwan
Sonstiges:	Nachgewiesen in: BASE Sprachen: English Collection: Université Savoie Mont Blanc: HAL Document Type: conference object Language: English Relation: hal-02019688; https://hal.science/hal-02019688

Klicken Sie ein Format an und speichern Sie dann die Daten oder geben Sie eine Empfänger-Adresse ein und lassen Sie sich per Email zusenden.

BibTeX Citavi, JabRef, u.a.
(Literaturverwaltung)

PDF kein Volltext!
(Merkzettel, Notizen)

RIS Endnote, Citavi u.a.
(Literaturverwaltung)

MODS
(XML zur Weiterverarbeitung)

oder

Wählen Sie das für Sie passende Zitationsformat und kopieren Sie es dann in die Zwischenablage, lassen es sich per Mail zusenden oder speichern es als PDF-Datei.

Gewünschter Zitations-Stil:

oder

Bitte prüfen Sie, ob die Zitation formal korrekt ist, bevor Sie sie in einer Arbeit verwenden. Benutzen Sie gegebenenfalls den "Exportieren"-Dialog, wenn Sie ein Literaturverwaltungsprogramm verwenden und die Zitat-Angaben selbst formatieren wollen.