A 2.3/3.3-GHz Dual Band Low Noise Amplifier Using Switchable Load Inductor in 0.18-um CMOS Technology

Taufiq Alif Kurniawan ; Chen, Hsiao-Chin

In: Makara Journal of Technology, Jg. 22 (2019), Heft 3, S. 159-166

academicJournal

In this paper, the dual band low noise amplifier is designed in 0.18-μm CMOS technology. By combining the proposed switchable load inductor for gain controlling and the conventional inductive source degeneration topology, narrow band gain and good impedance matching are achieved at 2.3/3.3-GHz frequency bands. The new mathematical analysis of low noise amplifier design is derived to define the component parameters of the proposed circuits. The proposed low noise amplifier exhibits gain of 17.18 dB and 15.5 dB, and noise figure of 2.67 dB and 2.52 dB at the two frequency bands, respectively.

Titel:	A 2.3/3.3-GHz Dual Band Low Noise Amplifier Using Switchable Load Inductor in 0.18-um CMOS Technology
Autor/in / Beteiligte Person:	Taufiq Alif Kurniawan ; Chen, Hsiao-Chin
Link:	http://journal.ui.ac.id/technology/journal/article/view/3666 https://doaj.org/toc/2355-2786 https://doaj.org/toc/2356-4539 https://doaj.org/article/3c3de368bd8f4a4fbbb74b5f54482d21 https://doi.org/10.7454/mst.v22i3.3666
Zeitschrift:	Makara Journal of Technology, Jg. 22 (2019), Heft 3, S. 159-166
Veröffentlichung:	Universitas Indonesia, 2019
Medientyp:	academicJournal
ISSN:	2355-2786 (print) ; 2356-4539 (print)
DOI:	10.7454/mst.v22i3.3666
Schlagwort:	dual band lna switchable load inductor inductive source degeneration 0.18-um cmos technology Engineering (General). Civil engineering (General) TA1-2040
Sonstiges:	Nachgewiesen in: BASE Sprachen: English, Indonesian Collection: Directory of Open Access Journals: DOAJ Articles Document Type: article in journal/newspaper Language: English ; Indonesian

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