Short-Time Hydrogen Passivation of Poly-Si CMOS Thin Film Transistors by High Dose Rate Plasma Ion Implantation : Ion-solid interactions for materials modification and processing

Qin, S. ; Bernstein, J. D. ; et al.

In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS 396:515-520; Jg. 396 S. 515-520

Konferenz

Titel:	Short-Time Hydrogen Passivation of Poly-Si CMOS Thin Film Transistors by High Dose Rate Plasma Ion Implantation : Ion-solid interactions for materials modification and processing
Autor/in / Beteiligte Person:	Qin, S. ; Bernstein, J. D. ; Zhou, Y. ; Liu, W.
Link:	http://explore.bl.uk/primo_library/libweb/action/display.do?tabs=detailsTab&gathStatTab=true&ct=display&fn=search&doc=ETOCCN022410989&indx=1&recIds=ETOCCN022410989
Quelle:	MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS 396:515-520; Jg. 396 S. 515-520
Medientyp:	Konferenz
ISBN:	978-1-55899-299-3 (print) ; 1-55899-299-5 (print)
Sonstiges:	Nachgewiesen in: British Library Document Supply Centre Inside Serials & Conference Proceedings Sprachen: English

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