Nickel, Platinum and Zirconium Germanosilicide Contacts to Heavily Phosphorous Doped Silicon-Germanium Alloys for Advanced CMOS Source/Drain Junctions : Novel materials and processes for advanced CMOS

Mo, H. ; Liu, J. ; et al.

In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS 745:129-134; Jg. 745 (2003) S. 129-134

Konferenz

Titel:	Nickel, Platinum and Zirconium Germanosilicide Contacts to Heavily Phosphorous Doped Silicon-Germanium Alloys for Advanced CMOS Source/Drain Junctions : Novel materials and processes for advanced CMOS
Autor/in / Beteiligte Person:	Mo, H. ; Liu, J. ; Ozturk, M. C.
Link:	http://explore.bl.uk/primo_library/libweb/action/display.do?tabs=detailsTab&gathStatTab=true&ct=display&fn=search&doc=ETOCCN048651604&indx=1&recIds=ETOCCN048651604
Quelle:	MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS 745:129-134; Jg. 745 (2003) S. 129-134
Veröffentlichung:	2003
Medientyp:	Konferenz
ISBN:	978-1-55899-682-3 (print) ; 1-55899-682-6 (print)
Sonstiges:	Nachgewiesen in: British Library Document Supply Centre Inside Serials & Conference Proceedings Sprachen: English

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