Fabrication of thick, high-quality strained SiGe layer on ultra-thin silicon-on-insulator and modeling of film strain : European Materials Research Society; New materials in future silicon technology symposium c

Di, Z. ; Zhang, M. ; et al.

In: MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING 7(NOS 4/6):393-398; Jg. 7 (2004) NOS 4/6, S. 393-398

Konferenz

Titel:	Fabrication of thick, high-quality strained SiGe layer on ultra-thin silicon-on-insulator and modeling of film strain : European Materials Research Society; New materials in future silicon technology symposium c
Autor/in / Beteiligte Person:	Di, Z. ; Zhang, M. ; Liu, W. ; Lin, C. ; Chu, P. K.
Link:	E-Journal im Bestand der UB Hagen? http://explore.bl.uk/primo_library/libweb/action/display.do?tabs=detailsTab&gathStatTab=true&ct=display&fn=search&doc=ETOCCN053823100&indx=1&recIds=ETOCCN053823100
Quelle:	MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING 7(NOS 4/6):393-398; Jg. 7 (2004) NOS 4/6, S. 393-398
Veröffentlichung:	2004
Medientyp:	Konferenz
ISSN:	1369-8001 (print)
Sonstiges:	Nachgewiesen in: British Library Document Supply Centre Inside Serials & Conference Proceedings Sprachen: English

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