All-optical characterization of carrier lifetimes and diffusion lengths in MOCVD-, ELO-, and HVPE- grown GaN : International symposium on growth of nitrides (ISGN-1)
In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 300(NO 1):223-227; Jg. 300 (2007) NO 1, S. 223-227
Konferenz
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Titel: |
All-optical characterization of carrier lifetimes and diffusion lengths in MOCVD-, ELO-, and HVPE- grown GaN : International symposium on growth of nitrides (ISGN-1)
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Autor/in / Beteiligte Person: | Malinauskas, T. ; Aleksiejunas, R. ; Jarasiunas, K. ; Beaumont, B. ; Gibart, P. ; Kakanakova-Georgieva, A. ; Janzen, E. ; Gogova, D. ; Monemar, B. ; Heuken, M. |
Link: | |
Quelle: | JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 300(NO 1):223-227; Jg. 300 (2007) NO 1, S. 223-227 |
Veröffentlichung: | 2007 |
Medientyp: | Konferenz |
ISSN: | 0022-0248 (print) |
Sonstiges: |
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