Diffraction Originated Local Heating of Nanometer Scale Device Patterns in Lamp-Based Rapid Thermal Annealing : Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for si-based CMOS 3: new materials, processes and equipment

Yoo, W. ; Kang, K.

In: ECS TRANSACTIONS 6(1):381-388; Jg. 6 (2007) 1, S. 381-388

Konferenz

Titel:	Diffraction Originated Local Heating of Nanometer Scale Device Patterns in Lamp-Based Rapid Thermal Annealing : Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for si-based CMOS 3: new materials, processes and equipment
Autor/in / Beteiligte Person:	Yoo, W. ; Kang, K.
Link:	http://explore.bl.uk/primo_library/libweb/action/display.do?tabs=detailsTab&gathStatTab=true&ct=display&fn=search&doc=ETOCCN065498441&indx=1&recIds=ETOCCN065498441
Quelle:	ECS TRANSACTIONS 6(1):381-388; Jg. 6 (2007) 1, S. 381-388
Veröffentlichung:	2007
Medientyp:	Konferenz
ISBN:	978-1-56677-550-2 (print) ; 1-56677-550-7 (print)
Sonstiges:	Nachgewiesen in: British Library Document Supply Centre Inside Serials & Conference Proceedings Sprachen: English

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