Modelling and simulation of low-frequency broadband LNA using InGaAs/InAlAs structures: A new approach : Beyond silicon technology: Materials and devices for post-si CMOS; E-MRS 2008 spring conference symposium J

Boudjelida, B. ; Sobih, A. ; et al.

In: MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING 11(5/6):398-401; Jg. 11 (2008) 5/6, S. 398-401

Konferenz

Titel:	Modelling and simulation of low-frequency broadband LNA using InGaAs/InAlAs structures: A new approach : Beyond silicon technology: Materials and devices for post-si CMOS; E-MRS 2008 spring conference symposium J
Autor/in / Beteiligte Person:	Boudjelida, B. ; Sobih, A. ; Bouloukou, A. ; Boulay, S. ; Arshad, S. ; Sly, J. ; Missous, M.
Link:	E-Journal im Bestand der UB Hagen? http://explore.bl.uk/primo_library/libweb/action/display.do?tabs=detailsTab&gathStatTab=true&ct=display&fn=search&doc=ETOCCN074519920&indx=1&recIds=ETOCCN074519920
Quelle:	MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING 11(5/6):398-401; Jg. 11 (2008) 5/6, S. 398-401
Veröffentlichung:	2008
Medientyp:	Konferenz
ISSN:	1369-8001 (print)
Sonstiges:	Nachgewiesen in: British Library Document Supply Centre Inside Serials & Conference Proceedings Sprachen: English

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