Electron tunneling in MIS capacitors with the MBE-grown fluoride layers on Si(111) and Ge(111): Role of transverse momentum conservation : Biennial international insulating films on semiconductor conference

Illarionov, Y.Y. ; Vexler, M.I. ; et al.

In: MICROELECTRONIC ENGINEERING 88(7):1291-1294; Jg. 88 (2011) 7, S. 1291-1294

Konferenz

Titel:	Electron tunneling in MIS capacitors with the MBE-grown fluoride layers on Si(111) and Ge(111): Role of transverse momentum conservation : Biennial international insulating films on semiconductor conference
Autor/in / Beteiligte Person:	Illarionov, Y.Y. ; Vexler, M.I. ; Suturin, S.M. ; Fedorov, V.V. ; Sokolov, N.S. ; Tsutsui, K. ; Takahashi, K.
Link:	http://explore.bl.uk/primo_library/libweb/action/display.do?tabs=detailsTab&gathStatTab=true&ct=display&fn=search&doc=ETOCCN081968701&indx=1&recIds=ETOCCN081968701
Quelle:	MICROELECTRONIC ENGINEERING 88(7):1291-1294; Jg. 88 (2011) 7, S. 1291-1294
Veröffentlichung:	2011
Medientyp:	Konferenz
ISSN:	1873-5568 (print)
Sonstiges:	Nachgewiesen in: British Library Document Supply Centre Inside Serials & Conference Proceedings Sprachen: English

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