Gate-engineering-based approach to improve the nanoscale DG MOSFET behavior against interfacial trap effects : Physics and technology of advanced extra functionality CMOS-based devices; Papers presented at the E-MRS spring meeting - symposium K: Physics and technology of advanced extra functionality CMOS-based devices : Strasbourg, France, 27-31 May 2013

Bentrcia, T. ; Djeffal, F. ; et al.

In: PHYSICA STATUS SOLIDI C CONFERENCES 11(1):77-80; Jg. 11 (2014) 1, S. 77-80

Konferenz

Titel:	Gate-engineering-based approach to improve the nanoscale DG MOSFET behavior against interfacial trap effects : Physics and technology of advanced extra functionality CMOS-based devices; Papers presented at the E-MRS spring meeting - symposium K: Physics and technology of advanced extra functionality CMOS-based devices : Strasbourg, France, 27-31 May 2013
Autor/in / Beteiligte Person:	Bentrcia, T. ; Djeffal, F. ; Arar, D. ; Dibi, Z.
Link:	http://explore.bl.uk/primo_library/libweb/action/display.do?tabs=detailsTab&gathStatTab=true&ct=display&fn=search&doc=ETOCCN086153763&indx=1&recIds=ETOCCN086153763
Quelle:	PHYSICA STATUS SOLIDI C CONFERENCES 11(1):77-80; Jg. 11 (2014) 1, S. 77-80
Veröffentlichung:	2014
Medientyp:	Konferenz
ISSN:	1610-1634 (print)
Sonstiges:	Nachgewiesen in: British Library Document Supply Centre Inside Serials & Conference Proceedings Sprachen: English

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