2D TCAD Simulations of Single Event Transients in 250 nm Bulk CMOS Technology : Zuverlassigkeit und entwurf
In: ITG-Fachbericht 274:90-96; Jg. 274 (2017) S. 90-96
Konferenz
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Titel: |
2D TCAD Simulations of Single Event Transients in 250 nm Bulk CMOS Technology : Zuverlassigkeit und entwurf
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Autor/in / Beteiligte Person: | Andjelkovic, Marko ; Jagdhold, Ulrich ; Krstic, Milos ; Kraemer, Rolf |
Link: | |
Quelle: | ITG-Fachbericht 274:90-96; Jg. 274 (2017) S. 90-96 |
Veröffentlichung: | 2017 |
Medientyp: | Konferenz |
ISSN: | 0932-6022 (print) |
Sonstiges: |
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