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Solutions for the 100nm node with ultrathin silicon nitride gates A nitride layer added to an oxide gate with a rapid thermal CVD process creates a more reliable film
In: SOLID STATE TECHNOLOGY, Jg. 44 (2001), Heft 4, S. 75-82
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Solutions for the 100nm node with ultrathin silicon nitride gates A nitride layer added to an oxide gate with a rapid thermal CVD process creates a more reliable film
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Autor/in / Beteiligte Person: | Levy, S. ; Bloom, R. ; Lam, J. ; Kepten, A. |
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Zeitschrift: | SOLID STATE TECHNOLOGY, Jg. 44 (2001), Heft 4, S. 75-82 |
Veröffentlichung: | 2001 |
Medientyp: | serialPeriodical |
ISSN: | 0038-111X (print) |
Sonstiges: |
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