The Effectiveness of OBIRCH Based Fault Isolation for Sub-90 nm CMOS Technologies

De la Bardonnie, M. ; Ly, K. ; et al.

In: INTERNATIONAL SYMPOSIUM FOR TESTING AND FAILURE ANALYSIS, Jg. 31 (2005), S. 49-58

serialPeriodical

Titel:	The Effectiveness of OBIRCH Based Fault Isolation for Sub-90 nm CMOS Technologies
Autor/in / Beteiligte Person:	De la Bardonnie, M. ; Ly, K. ; Ross, R. ; Lorut, F. ; Lamy, M. ; Wyon, C. ; Kwakman, L. ; Hiruma, Y. ; Roux, J.
Link:	http://explore.bl.uk/primo_library/libweb/action/display.do?tabs=detailsTab&gathStatTab=true&ct=display&fn=search&doc=ETOCRN182267774&indx=1&recIds=ETOCRN182267774
Zeitschrift:	INTERNATIONAL SYMPOSIUM FOR TESTING AND FAILURE ANALYSIS, Jg. 31 (2005), S. 49-58
Veröffentlichung:	2005
Medientyp:	serialPeriodical
ISSN:	0890-1740 (print)
Sonstiges:	Nachgewiesen in: British Library Document Supply Centre Inside Serials & Conference Proceedings Sprachen: English

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