High and abrupt breakdown voltage In0.15Ga0.85As0.14Sb0.86/GaSb junctions grown by LPE

Compeán-Jasso, V.H. ; de Anda-Salazar, F. ; et al.

In: Infrared physics and technology, Jg. 79 (2016), S. 32-35

serialPeriodical

Titel:	High and abrupt breakdown voltage In0.15Ga0.85As0.14Sb0.86/GaSb junctions grown by LPE
Autor/in / Beteiligte Person:	Compeán-Jasso, V.H. ; de Anda-Salazar, F. ; Sánchez-Niño, F. ; Mishurnyi, V.A. ; Martínez-Juarez, J.
Link:	E-Journal im Bestand der UB Hagen? http://explore.bl.uk/primo_library/libweb/action/display.do?tabs=detailsTab&gathStatTab=true&ct=display&fn=search&doc=ETOCvdc_100062643821.0x000001&indx=1&recIds=ETOCvdc_100062643821.0x000001
Zeitschrift:	Infrared physics and technology, Jg. 79 (2016), S. 32-35
Veröffentlichung:	2016
Medientyp:	serialPeriodical
ISSN:	1350-4495 (print)
Sonstiges:	Nachgewiesen in: British Library Document Supply Centre Inside Serials & Conference Proceedings Sprachen: Other

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