A nonlinear empirical I/V model for GaAs and GaN FETs suitable to design power amplifiers

Ochoa‐Armas, Daniel ; Lavandera‐Hernández, Ismary ; et al.

In: International journal of RF and microwave computer-aided engineering, Jg. 31 (2021), Heft 3

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Titel:	A nonlinear empirical I/V model for GaAs and GaN FETs suitable to design power amplifiers
Autor/in / Beteiligte Person:	Ochoa‐Armas, Daniel ; Lavandera‐Hernández, Ismary ; Fernández‐Ramón, Daniel ; Loo‐Yau, José R. ; Molina‐Ceseña, Marlon ; Pérez‐Wences, Caín ; Hernández‐Domínguez, Ernesto A. ; Reynoso‐Hernández, J. Apolinar ; Moreno, Pablo
Link:	Volltext (PDF) http://explore.bl.uk/primo_library/libweb/action/display.do?tabs=detailsTab&gathStatTab=true&ct=display&fn=search&doc=ETOCvdc_100114739799.0x000001&indx=1&recIds=ETOCvdc_100114739799.0x000001
Zeitschrift:	International journal of RF and microwave computer-aided engineering, Jg. 31 (2021), Heft 3
Veröffentlichung:	2021
Medientyp:	serialPeriodical
ISSN:	1096-4290 (print)
Sonstiges:	Nachgewiesen in: British Library Document Supply Centre Inside Serials & Conference Proceedings Sprachen: English

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