Badanie głębokich poziomów domieszkowych w strukturach AIIIBV metodą niestacjonarnej spektroskopii głębokich poziomów (DLTS)lnvestigation of deep level defects in III-V semiconductors by deep level transient spectroscopy technique (DLTS)

W pracy omówiono właściwości elektronowe i podstawowe parametry głębokich poziomów defektowych. Przedstawiono główne założenia metody lock-in DLTS i jej zastosowania do wyznaczania charakterystycznych parametrów głębokich poziomów. Omówiono podstawowe podzespoły stanowiska pomiarowego. Przedstawiono wyniki pomiarów sygnału DLTS w funkcji temperatury w strukturach n-GaAs z warstwą epitaksjalną. Wyznaczono energie aktywacji i przekroje czynne na wychwyt nośników. Zidentyfikowano wykryte poziomy pułapkowe.

In this paper, the electron-properties and fundamental parameters of deep level defects have been discussed. The main assumptions of loc-k-in DLTS technipue and its application to determination of characteristic parameters of deep levels have been described. The basics components of the DLTS set up have been discussed. The results of temperature scan mode for DLTS signal measurements in n type GaAs structures with an epitaxial layer have been presented. The activation energies and the capture cross sections have been also determined. Ali the detected deep level traps have been identified.