Computational analysis of horizontal cold wall CVD reactors at low pressure : Application to tungsten deposition from pyrolysis of W(CO)6

XENIDOU, T. C ; KOUKOU, M. K ; et al.

In: EUROCVD 13: Thirteenth European Conference on Chemical Vapor Deposition, Glyfada, Athens, Greece, August 26-31, 2001Journal de physique. IV 83:Pr3.183-Pr3.188

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A three-dimensional mathematical model has been developed for the simulation of horizontal cold wall CVD reactors aiming at the design and scale-up of new CVD reactors as well as at the optimisation of the operation of existing systems. The conservation equations of mass, momentum and energy are discretized by the finite-volume method and solved on a curvilinear non-orthogonal grid, assuming steady state conditions, laminar flow and ideal gas behaviour. The model accounts for the dependence of physical properties on temperature, pressure and composition, for realistic reaction kinetics, radiation, as well as for multi-component diffusion and thermal diffusion effects. Results from the application of the model to the low-pressure deposition of tungsten from W(CO)6are presented and discussed.

Titel:	Computational analysis of horizontal cold wall CVD reactors at low pressure : Application to tungsten deposition from pyrolysis of W(CO)6
Autor/in / Beteiligte Person:	XENIDOU, T. C ; KOUKOU, M. K ; BOUDOUVIS, A. G ; MARKATOS, N. C
Link:	View record from PASCAL Archive
Quelle:	EUROCVD 13: Thirteenth European Conference on Chemical Vapor Deposition, Glyfada, Athens, Greece, August 26-31, 2001Journal de physique. IV 83:Pr3.183-Pr3.188
Veröffentlichung:	Les Ulis: EDP sciences, 2001
Medientyp:	Konferenz
Umfang:	print, 15 ref
ISSN:	1155-4339 (print)
Schlagwort:	Physics Physique Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Domaines interdisciplinaires: science des materiaux; rheologie Cross-disciplinary physics: materials science; rheology Science des matériaux Materials science Méthodes de dépôt de films et de revêtements; croissance de films et épitaxie Methods of deposition of films and coatings; film growth and epitaxy Théorie et modèles de la croissance de films Theory and models of film growth Dépôt chimique en phase vapeur (incluant le cvd activé par plasma, mocvd, etc.) Chemical vapor deposition (including plasma-enhanced cvd, mocvd, etc.) Chemical vapor deposition (including plasma-enhanced CVD, MOCVD, etc.) Métal transition Carbonyle Transition elements Carbonyls Basse pression Low pressure Croissance cristalline en phase vapeur Crystal growth from vapors Dépôt chimique phase vapeur CVD Etude théorique Theoretical study Modèle 3 dimensions Three dimensional model Modelo 3 dimensiones Modèle mathématique Mathematical models Optimisation Optimization Pyrolyse Pyrolysis Réacteur chimique Chemical reactors Simulation Tungstène Carbonyle Tungsten Carbonyls C O W Tungstène hexacarbonyle W(CO)6
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Conference Paper File Description: text Language: English Author Affiliations: Department of Chemical Engineering, National Technical University of Athens, Athens 15780, Greece Rights: Copyright 2001 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Physics and materials science

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