Degradation zones of semiconductor target (Si) formed as a result of nanosecond UV laser material processing

NOVOSELOV, A. R ; KLIMENKO, A. G

In: In-line methods and monitors for process and yield improvement (Santa Clara CA, 22-23 September 1999)SPIE proceedings series :269-276

Konferenz - print, 8 ref

Wie komme ich dran?

The results of laser - semiconductor material interaction are presented. The laser source for these experiments was an UV laser at 0,34 mkm wavelength with 7 ns pulses at 100 Hz repetition rate focused at the spot of 3 mkm diameter, laser fluence was more than 1,1 J/ sq cm corresponding to the minimum energy density required to forming kerf. Material of target was p-Si with thermal oxide silicon. We have investigated changes of electrophysical (dynamic and static) perfomance of diagnostic structures vs. distance between the edge of laser kerf and the edge of diagnostic structures for definition of characteristic zones around the spot of laser - material interaction. The diagnostic structures included p-n junction or source of MOSFET. From the measurement made, back current for p-n junction and transfer characteristic for MOSFET and time carrier storage in source capacity of MOSFET were studied. We have determined the 3 zones around the spot of laser material processing.

Titel:	Degradation zones of semiconductor target (Si) formed as a result of nanosecond UV laser material processing
Autor/in / Beteiligte Person:	NOVOSELOV, A. R ; KLIMENKO, A. G
Link:	View record from PASCAL Archive
Quelle:	In-line methods and monitors for process and yield improvement (Santa Clara CA, 22-23 September 1999)SPIE proceedings series :269-276
Veröffentlichung:	Bellingham WA: SPIE, 1999
Medientyp:	Konferenz
Umfang:	print, 8 ref
Schlagwort:	Electronics Electronique Optics Optique Physics Physique Telecommunications Télécommunications Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Sciences appliquees Applied sciences Electronique des semiconducteurs. Microélectronique. Optoélectronique. Dispositifs à l'état solide Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Circuits intégrés Integrated circuits Conception. Technologies. Analyse fonctionnement. Essais Design. Technologies. Operation analysis. Testing Circuit intégré Integrated circuit Circuito integrado Diagnostic panne Fault diagnostic Diagnóstico pana Dégradation Degradation Degradación Fabrication microélectronique Microelectronic fabrication Fabricación microeléctrica Laser UV Ultraviolet laser Résultat expérimental Experimental result Resultado experimental Traitement matériau Material processing Tratamiento material
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Conference Paper File Description: text Language: English Author Affiliations: Institute of Semiconductor Physics, Novosibirsk, Russian Federation Rights: Copyright 2000 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Electronics

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