Einzeltreffer — DigiBib

The performance enhancement of the semiconductor laser for 1.3μm optical communications has been required. But lasing characteristics in the high-temperature operation are poor for the present InGaAsP/InP double-heterostructure (DH) lasers. As a means for solving it, 1.3μm-wavelength InGaAs/InGaP DH lasers with improved temperature characteristics which reduced the leakage current by greatly taking the bandgap difference of cladding layer and active layer is presented. The epitaxial lateral overgrowth (ELO) technique in which growth of the crystal with the large lattice constant difference is possible is very attractive. As a first step of realizing 1.3μm InGaAs/InGaP DH lasers, liquid phase epitaxial growth of the In0.8Ga0.2P (λ=820nm) cladding layer (1.4% lattice mismatched to the InP(100) substrate) was carried out by using the ELO technique.

Titel:	Lattice mismatched LPE growth of InGaP on patterned InP substrate
Autor/in / Beteiligte Person:	KANEKO, M ; NAKAYAMA, S ; KASHIWA, K ; AIZAWA, S ; TAKAHASHI, N. S
Link:	Full Text Finder (Volltext) View record from PASCAL Archive
Zeitschrift:	Crystal research and technology (1979), Jg. 37 (2002), Heft 2-3, S. 177-182
Veröffentlichung:	Berlin: Wiley-VCH, 2002
Medientyp:	academicJournal
Umfang:	print, 6 ref
ISSN:	0232-1300 (print)
Schlagwort:	Crystallography Cristallographie cristallogenèse Geology Géologie Metallurgy, welding Métallurgie, soudage Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Physique Physics Domaines classiques de la physique (y compris les applications) Fundamental areas of phenomenology (including applications) Optique Optics Lasers Lasers à semiconducteur; diodes laser Semiconductor lasers; laser diodes Domaines interdisciplinaires: science des materiaux; rheologie Cross-disciplinary physics: materials science; rheology Science des matériaux Materials science Méthodes de dépôt de films et de revêtements; croissance de films et épitaxie Methods of deposition of films and coatings; film growth and epitaxy Epitaxie en phase liquide; dépôt en phase liquide (phases fondues, solutions et couches superficielles sur des liquides) Liquid phase epitaxy; deposition from liquid phases (melts, solutions, and surface layers on liquids) Sciences appliquees Applied sciences Electronique Electronics Electronique des semiconducteurs. Microélectronique. Optoélectronique. Dispositifs à l'état solide Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Fabrication microélectronique (technologie des matériaux et des surfaces) Microelectronic fabrication (materials and surfaces technology) Deposition technology Composé minéral Inorganic compound Compuesto inorgánico Accommodation réseau Mismatch lattice Acomodación red Cathodoluminescence Catodoluminiscencia Croissance cristalline Crystal growth Crecimiento cristalino Croissance latérale Lateral growth Crecimiento lateral Epitaxie phase liquide Liquid phase epitaxy Etude expérimentale Experimental study Estudio experimental Fabrication microélectronique Microelectronic fabrication Fabricación microeléctrica Gallium arséniure Gallium arsenides Gallium phosphure Gallium phosphide Galio fosfuro Hétérojonction double Double heterojunction Heterounión doble Indium arséniure Indium arsenides Indium phosphure Indium phosphide Indio fosfuro Laser DH DH lasers Laser semiconducteur Semiconductor laser Laser semiconductor Perfection cristalline Crystal perfection Perfección cristalina Semiconducteur III-V III-V semiconductors Surcouche Overlayers As Ga In Ga In P InGaAs InGaP Substrat InP
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Article File Description: text Language: English Author Affiliations: Department of Electronics and Electrical Engineering, Faculty of Science and Technology, Keio University, Yokohama, Japan Rights: Copyright 2002 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Electronics ; Physics and materials science ; Physics: optics

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Lattice mismatched LPE growth of InGaP on patterned InP substrate