Effects of ions and electrons in electron-beam-excited plasma assisted CVD on nanocrystalline silicon film properties

OHSHITA, Y ; YAMAGUCHI, K ; et al.

In: ICCG-13/ICVGE-11: Proceedings of the Thirteenth International Conference on Crystal Growth in conjunction with the Eleventh International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, Kyoto, Japan, 30 July - 4 August 2001. Part 2Journal of crystal growth 237-39:1394-1398; Jg. 237-39 (2002) S. 1394-1398

Konferenz - print, 4 ref 2

Wie komme ich dran?

Nanocrystalline silicon (Si) films are grown from SiH4 using electron-beam-excited plasma-assisted chemical vapor deposition (EBEP-CVD). In the EBEP-CVD, many ionized radicals are produced due to the high-energy (100eV) electrons. By analyzing the deposition rate profile in the trench, it is indicated that about 70% of the film is deposited from ionized intermediates. Because many ions contribute to the film deposition, their kinetic energies affect the crystalline properties of the deposited film. Moreover, in the present CVD system, the substrate surface is irradiated with many high-energy electrons, and this irradiation deteriorates the film properties. Therefore, controlling the ion energy and preventing electron irradiation during the deposition are important to obtain good quality thin films, and the highest crystalline ratio (89%) is realized at 15 V substrate-bias voltage by avoiding the high-energy electron irradiation.

Titel:	Effects of ions and electrons in electron-beam-excited plasma assisted CVD on nanocrystalline silicon film properties
Autor/in / Beteiligte Person:	OHSHITA, Y ; YAMAGUCHI, K ; MOTEGI, H ; YAMAGUCHI, M
Link:	E-Journal im Bestand der UB Hagen? View record from PASCAL Archive
Quelle:	ICCG-13/ICVGE-11: Proceedings of the Thirteenth International Conference on Crystal Growth in conjunction with the Eleventh International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, Kyoto, Japan, 30 July - 4 August 2001. Part 2Journal of crystal growth 237-39:1394-1398; Jg. 237-39 (2002) S. 1394-1398
Veröffentlichung:	Amsterdam: Elsevier, 2002
Medientyp:	Konferenz
Umfang:	print, 4 ref 2
ISSN:	0022-0248 (print)
Schlagwort:	Crystallography Cristallographie cristallogenèse Geology Géologie Metallurgy, welding Métallurgie, soudage Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Physique Physics Domaines interdisciplinaires: science des materiaux; rheologie Cross-disciplinary physics: materials science; rheology Science des matériaux Materials science Méthodes de dépôt de films et de revêtements; croissance de films et épitaxie Methods of deposition of films and coatings; film growth and epitaxy Dépôt chimique en phase vapeur (incluant le cvd activé par plasma, mocvd, etc.) Chemical vapor deposition (including plasma-enhanced cvd, mocvd, etc.) Chemical vapor deposition (including plasma-enhanced CVD, MOCVD, etc.) Non métal Nonmetals Cinétique Kinetics Couche mince Thin films Cristallinité Crystallinity Cristalinidad Croissance cristalline en phase vapeur Crystal growth from vapors Dépôt chimique phase vapeur CVD Effet physique rayonnement Physical radiation effects Etude expérimentale Experimental study Faisceau ion Ion beams Faisceau électron Electron beams Méthode PECVD PECVD Nanocristal Nanocrystal Perfection cristalline Crystal perfection Perfección cristalina Radical ion Ion radicals Semiconducteur Semiconductor materials Silicium Silicon Si
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Conference Paper File Description: text Language: English Author Affiliations: Toyota Technological Institute, 2-12-1, Hisakata, Tempaku, Nagoya 468-8511, Japan Rights: Copyright 2002 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Physics and materials science

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