Analysis and optimization of the impact of channel resistance on CMOS LNA noise performance

JIWEI, CHEN ; BINGXUE, SHI

In: 10th SASIMI workshop, Nara, Japan, 2001Microelectronics journal 33(11):1027-1031; Jg. 33 (2002) 11, S. 1027-1031

Konferenz - print, 14 ref

The intrinsic channel resistance, which is caused by the finite charging time of the carriers in the inversion layer, has remarkable impact on RF CMOS circuits, especially low noise amplifier (LNA), the first block of receiver. The impact of channel resistance on the noise performance of LNA is thoroughly studied and analyzed in this paper, and then new formulae are proposed systematically. Moreover, revised noise figure optimization technique is presented. All of this work will be very instructive for the design of high performance LNA.

Titel:	Analysis and optimization of the impact of channel resistance on CMOS LNA noise performance
Autor/in / Beteiligte Person:	JIWEI, CHEN ; BINGXUE, SHI
Link:	View record from PASCAL Archive
Quelle:	10th SASIMI workshop, Nara, Japan, 2001Microelectronics journal 33(11):1027-1031; Jg. 33 (2002) 11, S. 1027-1031
Veröffentlichung:	Oxford: Elsevier Science, 2002
Medientyp:	Konferenz
Umfang:	print, 14 ref
ISSN:	0959-8324 (print)
Schlagwort:	Electronics Electronique Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Sciences appliquees Applied sciences Electronique des semiconducteurs. Microélectronique. Optoélectronique. Dispositifs à l'état solide Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Interfaces Circuits intégrés Integrated circuits Circuits intégrés par fonction (dont mémoires et processeurs) Integrated circuits by function (including memories and processors) Circuits électriques, optiques et optoélectroniques Electric, optical and optoelectronic circuits Propriétés des circuits Circuit properties Circuits électroniques Electronic circuits Amplificateurs Amplifiers Amplificateur faible bruit Low noise amplifier Amplificador bajo ruido Amplificateur radiofréquence Radio frequency amplifiers Canal transistor Transistor channel Conception circuit Circuit design Diseño circuito Couche inversion Inversion layer Capa inversión Evaluation performance Performance evaluation Evaluación prestación Figure bruit Noise figure Figura ruido Forme onde Waveform Forma onda Haute performance High performance Alto rendimiento Méthode analyse Analysis method Método análisis Méthode optimisation Optimization method Método optimización Porteur charge Charge carrier Portador carga Résistance électrique Resistor Resistencia eléctrica(componente) Résultat expérimental Experimental result Resultado experimental Simulation numérique Numerical simulation Simulación numérica Technologie MOS complémentaire Complementary MOS technology Tecnología MOS complementario CMOS Channel resistance RF
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Conference Paper File Description: text Language: English Author Affiliations: Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing 100084, China Rights: Copyright 2003 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Electronics

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