Development of Cat-CVD apparatus : a method to control wafer temperatures under thermal influence of heated catalyzer

KARASAWA, Minoru ; MASUDA, Atsushi ; et al.

In: Proceedings of the First International Conference on Cat-CVD (Hot-Wire CVD) Process, Kanazawa, Japan, November 14-17, 2000Thin solid films 395(1-2):71-74; Jg. 395 (2001) 1-2, S. 71-74

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Wie komme ich dran?

In the catalytic chemical vapor deposition (Cat-CVD) method, a heated metal wire is often used as the catalyzer to crack the process gas molecules. Therefore, the temperature of the wafer near the catalyzer is influenced by heat from the catalyzer. Thus, a special technique is needed to control the wafer temperature. We examined this matter from the viewpoint of the apparatus. The electrostatic chuck (ESC) is employed in the wafer holder for the Cat-CVD apparatus for the first time. The effects of ESC on the temperature control of Si and GaAs wafers are studied in detail for various process conditions. A drastic improvement is obtained in the control of the wafer temperature using ESC.

Titel:	Development of Cat-CVD apparatus : a method to control wafer temperatures under thermal influence of heated catalyzer
Autor/in / Beteiligte Person:	KARASAWA, Minoru ; MASUDA, Atsushi ; ISHIBASHI, Keiji ; MATSUMURA, Hideki
Link:	E-Journal im Bestand der UB Hagen? View record from PASCAL Archive
Quelle:	Proceedings of the First International Conference on Cat-CVD (Hot-Wire CVD) Process, Kanazawa, Japan, November 14-17, 2000Thin solid films 395(1-2):71-74; Jg. 395 (2001) 1-2, S. 71-74
Veröffentlichung:	Lausanne: Elsevier Science, 2001
Medientyp:	Konferenz
Umfang:	print, 4 ref
ISSN:	0040-6090 (print)
Schlagwort:	Crystallography Cristallographie cristallogenèse Electronics Electronique Metallurgy, welding Métallurgie, soudage Condensed state physics Physique de l'état condensé Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Physique Physics Domaines interdisciplinaires: science des materiaux; rheologie Cross-disciplinary physics: materials science; rheology Science des matériaux Materials science Méthodes de dépôt de films et de revêtements; croissance de films et épitaxie Methods of deposition of films and coatings; film growth and epitaxy Dépôt chimique en phase vapeur (incluant le cvd activé par plasma, mocvd, etc.) Chemical vapor deposition (including plasma-enhanced cvd, mocvd, etc.) Chemical vapor deposition (including plasma-enhanced CVD, MOCVD, etc.) Appareillage Instrumentation Catalyse Catalysis Commande processus Process control Contrôle température Temperature monitoring Croissance cristalline en phase vapeur Crystal growth from vapors Dispositif électrostatique Electrostatic devices Dépôt chimique phase vapeur CVD Etude expérimentale Experimental study Fil chaud Hot wire Hilo caliente Pastille électronique Wafers Silicium Silicon Substrat Substrates
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Conference Paper File Description: text Language: English Author Affiliations: Japan Advanced Institute of Science and Technology (JAIST), Tatsunokuchi, Ishikawa 923-1292, Japan ; ANELVA Corporation, Yotsuya, Fuchu, Tokyo 183-8508, Japan Rights: Copyright 2002 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Physics and materials science

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