Growth and characterization of Hg1-xCdxTe epilayers from Hg-rich solution using LPE

KUMAR, Shiv ; NAGPAL, Anjana ; et al.

In: Physics of semiconductor devices (Delhi, 11-15 December 2001)SPIE proceedings series; (2002) S. 1108-1110

Konferenz - print, 4 ref 2

Hg1-xCdxTe (x = 0.22 to 0.24) epilayers are being routinely grown by liquid phase epitaxy from Hg-rich solution using dipping technique at SSPL. These epilayers are grown on lattice-matched CdZnTe substrates and then characterized for their optical and electrical properties. In this paper, we report the influence of experimental parameters like the rotational and the translational speeds at the time of withdrawal of the substrate after growth, on the wiping of the melt from the epilayer surface. Post growth stickings on the epilayer depend mainly on the rate of withdrawal of the substrate holder from the melt. By adjusting the rotational and translational speeds, it has been possible to obtain stick-free and mirror finish surface of the epilayers.

Titel:	Growth and characterization of Hg1-xCdxTe epilayers from Hg-rich solution using LPE
Autor/in / Beteiligte Person:	KUMAR, Shiv ; NAGPAL, Anjana ; SHARMA, Sanjeev ; CHAVADA, F. R ; GUPTA, S. C
Link:	View record from PASCAL Archive
Quelle:	Physics of semiconductor devices (Delhi, 11-15 December 2001)SPIE proceedings series; (2002) S. 1108-1110
Veröffentlichung:	Bellingham WA: SPIE, 2002
Medientyp:	Konferenz
Umfang:	print, 4 ref 2
Schlagwort:	Electronics Electronique Optics Optique Physics Physique Telecommunications Télécommunications Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Domaines interdisciplinaires: science des materiaux; rheologie Cross-disciplinary physics: materials science; rheology Science des matériaux Materials science Méthodes de dépôt de films et de revêtements; croissance de films et épitaxie Methods of deposition of films and coatings; film growth and epitaxy Epitaxie en phase liquide; dépôt en phase liquide (phases fondues, solutions et couches superficielles sur des liquides) Liquid phase epitaxy; deposition from liquid phases (melts, solutions, and surface layers on liquids) 8115L
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Conference Paper File Description: text Language: English Author Affiliations: Solidstate Physics Laboratory, Lucknow Road, Delhi - 110 054, India Rights: Copyright 2002 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Physics and materials science

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