Metal-organic chemical vapor deposition of NbxTa(1-x)NyOmCn films as diffusion barriers for Cu metallization

GAU, W. C ; WU, C. W ; et al.

In: Proceedings of the 29th international conference on metallurgical coatings and thin films, San Diego, CA, USA, April 22-26, 2002 (ICMCTF2002)Thin solid films 420-21:548-552

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Wie komme ich dran?

NbxTa(1-x)NyOmCn diffusion barriers deposited by chemical vapor deposition (CVD) for copper metallization have been investigated. The barriers were deposited at 375 °C with tetrakis-diethylamido-niobium and pentakis-diethylamido-tantalum as precursors. Amorphous thin films can be obtained by thermal deposition at temperatures from 500 to 600 °C. The activation energy of the metal-organic CVD (MOCVD) process was determined to be 79.1±4.8 kJ/mol. By the incorporation of NH3 gas into reactants, both MOCVD deposition temperature and carbon concentration in the NbxTa(1-x)NyOmCn films were reduced. In addition, NH3-plasma post-treatment was implemented to prevent oxygen from being introduced into the barrier films.

Titel:	Metal-organic chemical vapor deposition of NbxTa(1-x)NyOmCn films as diffusion barriers for Cu metallization
Autor/in / Beteiligte Person:	GAU, W. C ; WU, C. W ; CHANG, T. C ; LIU, P. T ; CHU, C. J ; CHEN, C. H ; CHEN, L. J
Link:	E-Journal im Bestand der UB Hagen? View record from PASCAL Archive
Quelle:	Proceedings of the 29th international conference on metallurgical coatings and thin films, San Diego, CA, USA, April 22-26, 2002 (ICMCTF2002)Thin solid films 420-21:548-552
Veröffentlichung:	Lausanne: Elsevier Science, 2002
Medientyp:	Konferenz
Umfang:	print, 15 ref
ISSN:	0040-6090 (print)
Schlagwort:	Crystallography Cristallographie cristallogenèse Electronics Electronique Metallurgy, welding Métallurgie, soudage Condensed state physics Physique de l'état condensé Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Physique Physics Domaines interdisciplinaires: science des materiaux; rheologie Cross-disciplinary physics: materials science; rheology Science des matériaux Materials science Méthodes de dépôt de films et de revêtements; croissance de films et épitaxie Methods of deposition of films and coatings; film growth and epitaxy Dépôt chimique en phase vapeur (incluant le cvd activé par plasma, mocvd, etc.) Chemical vapor deposition (including plasma-enhanced cvd, mocvd, etc.) Sciences appliquees Applied sciences Electronique des semiconducteurs. Microélectronique. Optoélectronique. Dispositifs à l'état solide Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Fabrication microélectronique (technologie des matériaux et des surfaces) Microelectronic fabrication (materials and surfaces technology) Metaux. Metallurgie Metals. Metallurgy Chemical vapor deposition (including plasma-enhanced CVD, MOCVD, etc.) Metallization, contacts, interconnects; device isolation Carbure Carbides Composé minéral Inorganic compounds Métal transition composé Transition element compounds Métal transition Transition elements Nitrure Nitrides Oxyde Oxides Barrière diffusion Diffusion barriers Composition chimique Chemical composition Couche mince Thin films Cuivre Copper Etat amorphe Amorphous state Etude expérimentale Experimental study Microscopie électronique transmission Transmission electron microscopy Métallisation Metallizing Méthode MOCVD MOCVD Méthode phase vapeur Growth from vapor Método fase vapor Niobium carbure Niobium carbides Niobium nitrure Niobium nitrides Niobium oxyde Niobium oxides Préparation Preparation Preparación Vorbereitung Solution solide Solid solutions Spectrométrie Auger AES Tantale carbure Tantalum carbides Tantale nitrure Tantalum nitrides Tantale oxyde Tantalum oxides C N Nb O Ta NbxTa1-xNyOmCn Substrat Cu Chemical vapor deposition Cu metallization Diffusion barrier Nb Nitride Ta
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Conference Paper File Description: text Language: English Author Affiliations: Department of Materials Science and Engineering, National Tsing Hua University, Hsinchu 300, Tawain, Province of China ; Department of Physics, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung, Tawain, Province of China ; National Nano Devices Laboratories, Hsinchu, Tawain, Province of China ; Nanmat Technology Co. Ltd., Kaohsiung, Tawain, Province of China Rights: Copyright 2003 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Electronics ; Metals. Metallurgy ; Physics and materials science

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