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The switching behaviour and the operating region of a complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) gate driving a resistance-inductance-capacitance (RLC) transmission line is investigated in this paper. Closed form expressions for the time the transistors operate in the saturation and triode region respectively are proposed. Closed form expressions show predictions within 10% of HSPICE results for a wide range of line and buffer parameters, making them suitable to be applied to the problem of buffer sizing, repeater insertion, short circuit power estimation and generally whenever the accurate knowledge of the operation of CMOS buffers driving a transmission line is required. In the paper useful hints for choosing the most appropriate model for the triode region of the transistors of the inductive-line driver are also given.

Titel:	Operating region modelling and timing analysis of CMOS gates driving transmission lines
Autor/in / Beteiligte Person:	CAPPUCCINO, Gregorio ; COCORULLO, Giuseppe
Link:	E-Journal im Bestand der UB Hagen? View record from PASCAL Archive
Quelle:	Integrated circuit design (Seville, 11-13 September 2002)Lecture notes in computer science :438-447
Veröffentlichung:	Berlin: Springer, 2002
Medientyp:	Konferenz
Umfang:	print, 7 ref
ISSN:	0302-9743 (print)
Schlagwort:	Electronics Electronique Computer science Informatique Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Sciences appliquees Applied sciences Electronique des semiconducteurs. Microélectronique. Optoélectronique. Dispositifs à l'état solide Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Circuits intégrés Integrated circuits Circuits intégrés par fonction (dont mémoires et processeurs) Integrated circuits by function (including memories and processors) Circuits électriques, optiques et optoélectroniques Electric, optical and optoelectronic circuits Propriétés des circuits Circuit properties Circuits hyperfréquences, circuits intégrés hyperfréquences, lignes de transmission hyperfréquences, circuits à ondes submillimétriques Microwave circuits, microwave integrated circuits, microwave transmission lines, submillimeter wave circuits Caractéristique temporelle Time curve Característica temporal Circuit RLC RLC circuit Circuito RLC Circuit intégré CMOS CMOS integrated circuits Circuit intégré Integrated circuit Circuito integrado Circuit logique Logic circuit Circuito lógico Circuit séparateur Separator circuit Circuito separador Condition opératoire Operating conditions Condición operatoria Consommation énergie électrique Power consumption Court circuit Short circuit Cortocircuito Effet dimensionnel Size effect Efecto dimensional Ligne transmission Transmission line Línea transmisión Modèle linéaire Linear model Modelo lineal Paramètre circuit Circuit parameter Parámetro circuito Porte logique Logic gate Puerta lógica Programme SPICE SPICE Régime commutation Switching conditions Régimen conmutación Régime saturation Saturation state Régimen saturación Répéteur Repeater Repetidor Résultat expérimental Experimental result Resultado experimental Simulation circuit Circuit simulation Triode Tríodo
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Conference Paper File Description: text Language: English Author Affiliations: Electronics, Computer Science and Systems Department, DEIS-University of Calabria, 87036 Rende, Italy Rights: Copyright 2003 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Electronics

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Operating region modelling and timing analysis of CMOS gates driving transmission lines