Fast CMOS-integrated finger photodiodes for a wide spectral range

ZIMMERMANN, H ; DIETRICH, H ; et al.

In: ESSDERC 2002 : 32nd European solid-state device research conference (Firenze, 24-26 September 2002) :435-438

Konferenz - print, 10 ref

A new monolithically integrated photodiode in CMOS technology using p-type substrate is presented. This photodiode is optimized for a high speed and a wide spectral range from red to blue/UV. The cathode finger structure of the photodiode increases the quantum efficiency for a wavelength of 400 nm to 46 % compared to a value of 14 % for a conventional photodiode without a finger cathode. With an antireflection coating a further increase to a quantum efficiency of 70 % is possible for the finger photodiode. Rise and fall times below 1 ns are measured for this photodiode for red and UV light. The corresponding bandwidths are larger than 470 MHz. Such a fast and highly efficient photodiode is needed in near-future optoelectronic integrated circuits (OEICs) for applications in optical storage systems like DVD (Digital Versatile Disk) and DVR (Digital Video Recording).

Titel:	Fast CMOS-integrated finger photodiodes for a wide spectral range
Autor/in / Beteiligte Person:	ZIMMERMANN, H ; DIETRICH, H ; GHAZI, A ; SEEGEBRECHT, P
Link:	View record from PASCAL Archive
Quelle:	ESSDERC 2002 : 32nd European solid-state device research conference (Firenze, 24-26 September 2002) :435-438
Veröffentlichung:	Bologna: University of Bologna, 2002
Medientyp:	Konferenz
Umfang:	print, 10 ref
Schlagwort:	Electronics Electronique Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Sciences appliquees Applied sciences Electronique des semiconducteurs. Microélectronique. Optoélectronique. Dispositifs à l'état solide Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Dispositifs optoélectroniques Optoelectronic devices Stockage et lecture de l'information Storage and reproduction of information Mémoires de masse magnétiques et optiques Magnetic and optical mass memories Circuit intégré monolithique Monolithic integrated circuit Circuito integrado monolítico Evaluation performance Performance evaluation Evaluación prestación Mémoire optique Optical memory Memoria óptica Optimisation Optimization Optimización Optoélectronique intégrée Integrated optoelectronics Optoelectrónica integrada Photodiode Fotodiodo Rendement quantique Quantum yield Rendimiento quántico Revêtement antiréfléchissant Antireflection coating Revestimiento antirreflexión Technologie MOS complémentaire Complementary MOS technology Tecnología MOS complementario Temps descente Decay time Tiempo bajada Temps montée Rise time Tiempo subida
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Conference Paper File Description: text Language: English Author Affiliations: Institut für Elektrische Mess-und Schaltungstechnik, Technische Universität Wien, Gusshausstrasse 25/354, 1040 Wien, Austria ; Lehrstuhl für Halbleitertechnik, Christian-Albrechts-Universität, Kaiserstrasse 2, 24 143 Kiel, Germany Rights: Copyright 2003 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Electronics

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