Recent progress of Cat-CVD research in Japan: bridging between the first and second Cat-CVD conferences

MATSUMURA, Hideki ; UMEMOTO, Hironobu ; et al.

In: Proceedings of the Second International Conference on Cat-CVD (Hot Wire CVD) Process, Denver, Colorado, USA, September 10-13, 2002Thin solid films 430(1-2):7-14; Jg. 430 (2003) 1-2, S. 7-14

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Wie komme ich dran?

We review the recent progress of Cat-CVD research in Japan since the 1st Cat-CVD conference in Kanazawa in 2000. Some groups, including ours, succeeded in realizing large-area deposition of amorphous silicon (a-Si) of approximately 1 m size, and thin film transistors (TFTs) with a mobility over several 10s of cm2 V-1 s-1 are fabricated using Cat-CVD polycrystalline silicon (poly-Si) films. Extensive studies of in situ cleaning methods revealed that a high rate of chamber cleaning is possible in Cat-CVD systems. Solar cell research is now carried out within the New Energy and Industrial Technology Development Organization (NEDO) project, and the study of Cat-CVD Si3N4 films prepared at lower than 100°C is now a Japan Science and Technology Corporation (JST) project to use them as coatings on organic devices. The feasibility of Cat-CVD for various applications has been widely demonstrated, along with further understanding of the fundamental mechanism of the Cat-CVD process.

Titel:	Recent progress of Cat-CVD research in Japan: bridging between the first and second Cat-CVD conferences
Autor/in / Beteiligte Person:	MATSUMURA, Hideki ; UMEMOTO, Hironobu ; IZUMI, Akira ; MASUDA, Atsushi
Link:	E-Journal im Bestand der UB Hagen? View record from PASCAL Archive
Quelle:	Proceedings of the Second International Conference on Cat-CVD (Hot Wire CVD) Process, Denver, Colorado, USA, September 10-13, 2002Thin solid films 430(1-2):7-14; Jg. 430 (2003) 1-2, S. 7-14
Veröffentlichung:	Lausanne: Elsevier Science, 2003
Medientyp:	Konferenz
Umfang:	print, 13 ref
ISSN:	0040-6090 (print)
Schlagwort:	Japon Japan Crystallography Cristallographie cristallogenèse Electronics Electronique Metallurgy, welding Métallurgie, soudage Condensed state physics Physique de l'état condensé Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Physique Physics Domaines interdisciplinaires: science des materiaux; rheologie Cross-disciplinary physics: materials science; rheology Science des matériaux Materials science Méthodes de dépôt de films et de revêtements; croissance de films et épitaxie Methods of deposition of films and coatings; film growth and epitaxy Dépôt chimique en phase vapeur (incluant le cvd activé par plasma, mocvd, etc.) Chemical vapor deposition (including plasma-enhanced cvd, mocvd, etc.) Sciences appliquees Applied sciences Electronique des semiconducteurs. Microélectronique. Optoélectronique. Dispositifs à l'état solide Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Fabrication microélectronique (technologie des matériaux et des surfaces) Microelectronic fabrication (materials and surfaces technology) Chemical vapor deposition (including plasma-enhanced CVD, MOCVD, etc.) Deposition technology Article synthèse Reviews Cellule solaire Solar cells Couche mince Thin films Croissance cristalline en phase vapeur Crystal growth from vapors Dépôt chimique phase vapeur CVD Etat amorphe Amorphous state Fabrication microélectronique Microelectronic fabrication Fabricación microeléctrica Fil chaud Hot wire Hilo caliente Méthode croissance cristalline Crystal growth methods Polycristal Polycrystals Semiconducteur Semiconductor materials Silicium nitrure Silicon nitrides Silicium Silicon Transistor couche mince Thin film transistors Amorphous silicon Catalytic chemical vapor deposition (Cat-CVD) Polycrystalline silicon Silicon nitride Subject Geographic: Japon Japan
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Conference Paper File Description: text Language: English Author Affiliations: Japan Advanced Institute of Science and Technology (JAIST), Tatsunokuchi, Ishikawa 923-1292, Japan Rights: Copyright 2003 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Electronics ; Physics and materials science

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