Catalytic CVD growth and properties of a-C:H and a-C:N

NAKAYAMA, H ; TAKATSUJI, K ; et al.

In: Proceedings of the Second International Conference on Cat-CVD (Hot Wire CVD) Process, Denver, Colorado, USA, September 10-13, 2002Thin solid films 430(1-2):309-312; Jg. 430 (2003) 1-2, S. 309-312

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Wie komme ich dran?

Hydrogenated amorphous carbon (a-C:H) and nitrided amorphous carbon (a-C:N) films have been synthesized on quartz substrates at a substrate temperature of 700 °C using a catalytic chemical vapor deposition (Cat-CVD) method. Raman spectra of a-C:H films showed two principal bands, the G-band at ∼1600 cm-1 and the D-band at ∼1350 cm-1. Those of a-C:N films showed similar spectra, with a G' band at ∼1640 cm ', the peak energy of which is higher than that of the G-band in a-C:H. The intensity ratio IG/ID, which is a measure of the degree of order in a-C:H, decreased for a-C:H with increasing CH4/H2 gas-flow ratio. On the contrary, the IG/ID ratio increased with increasing CH4/H2 gas-flow ratio.

Titel:	Catalytic CVD growth and properties of a-C:H and a-C:N
Autor/in / Beteiligte Person:	NAKAYAMA, H ; TAKATSUJI, K ; MORIWAKI, S ; MURAKAMI, K ; MIZOGUCHI, K ; NAKAYAMA, M ; MIURA, Y
Link:	E-Journal im Bestand der UB Hagen? View record from PASCAL Archive
Quelle:	Proceedings of the Second International Conference on Cat-CVD (Hot Wire CVD) Process, Denver, Colorado, USA, September 10-13, 2002Thin solid films 430(1-2):309-312; Jg. 430 (2003) 1-2, S. 309-312
Veröffentlichung:	Lausanne: Elsevier Science, 2003
Medientyp:	Konferenz
Umfang:	print, 14 ref
ISSN:	0040-6090 (print)
Schlagwort:	Crystallography Cristallographie cristallogenèse Electronics Electronique Metallurgy, welding Métallurgie, soudage Condensed state physics Physique de l'état condensé Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Physique Physics Domaines interdisciplinaires: science des materiaux; rheologie Cross-disciplinary physics: materials science; rheology Science des matériaux Materials science Méthodes de dépôt de films et de revêtements; croissance de films et épitaxie Methods of deposition of films and coatings; film growth and epitaxy Dépôt chimique en phase vapeur (incluant le cvd activé par plasma, mocvd, etc.) Chemical vapor deposition (including plasma-enhanced cvd, mocvd, etc.) Chemical vapor deposition (including plasma-enhanced CVD, MOCVD, etc.) Non métal Nonmetals Addition azote Nitrogen additions Addition hydrogène Hydrogen additions Carbone Carbon Dopage Doping Dépôt chimique phase vapeur CVD Etat amorphe Amorphous state Etude expérimentale Experimental study Fil chaud Hot wire Hilo caliente Film Films Matériau amorphe hydrogéné Amorphous hydrogenated material Méthode phase vapeur Growth from vapor Método fase vapor Préparation Preparation Preparación Spectre Raman Raman spectra a-C:H a-C:N Amorphous carbon nitride Amorphous carbon Catalytic chemical vapor deposition Raman scattering
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Conference Paper File Description: text Language: English Author Affiliations: Department of Applied Physics, Graduate School of Engineering, Osaka City University, 3-3-138 Sugimoto, Sumiyoshi, Osaka 558-8585, Japan ; Department of Applied Chemistry Graduate School of Engineering, Osaka City University, 3-3-138 Sugimoto, Sumiyoshi, Osaka 558-8585, Japan Rights: Copyright 2003 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Physics and materials science

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