Distinguishing metastable changes in bulk CIGS defect densities from interface effects

HEATH, J. T ; COHEN, J. D ; et al.

In: Proceedings of the Symposium B, Thin Film Chalcogenide Photovoltaic Materials, E-MRS Spring Meeting, Strasbourg, France, June 18-21, 2002Thin solid films 431-32:426-430; Jg. 431-32 (2003) S. 426-430

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Wie komme ich dran?

The deep defect distributions affecting majority carrier trapping in polycrystalline CuIn1-xGaxSe2 (CIGS) have been studied using drive level capacitance profiling. This technique provides, a spatial and energetic profile of sub-band gap defect transitions in the CIGS layer of working photovoltaic devices, while remaining insensitive to surface states. The bulk response was dominated by a defect which varied between 0.1 and 0.3 eV, according to the Meyer-Neldel rule. Devices grown at reduced substrate temperatures had smaller grain sizes and additional defect response. The effect of a light-soaking treatment, using near-band gap optical excitation, was studied. Both the free carrier density and the density of deeper defects were increased by this treatment. Device quality was degraded, predominantly due to a decreased fill factor.

Titel:	Distinguishing metastable changes in bulk CIGS defect densities from interface effects
Autor/in / Beteiligte Person:	HEATH, J. T ; COHEN, J. D ; SHAFARMAN, W. N
Link:	E-Journal im Bestand der UB Hagen? View record from PASCAL Archive
Quelle:	Proceedings of the Symposium B, Thin Film Chalcogenide Photovoltaic Materials, E-MRS Spring Meeting, Strasbourg, France, June 18-21, 2002Thin solid films 431-32:426-430; Jg. 431-32 (2003) S. 426-430
Veröffentlichung:	Lausanne: Elsevier Science, 2003
Medientyp:	Konferenz
Umfang:	print, 14 ref
ISSN:	0040-6090 (print)
Schlagwort:	Crystallography Cristallographie cristallogenèse Electronics Electronique Metallurgy, welding Métallurgie, soudage Condensed state physics Physique de l'état condensé Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Physique Physics Etat condense: structure electronique, proprietes electriques, magnetiques et optiques Condensed matter: electronic structure, electrical, magnetic, and optical properties Structure électronique et propriétés électriques des surfaces, interfaces, couches minces et structures de basse dimensionnalité Electronic structure and electrical properties of surfaces, interfaces, thin films and low-dimensional structures Etats électroniques de surface et d'interface Surface and interface electron states Niveaux de défauts et d'impureté; états d'énergie d'espèces adsorbées Impurity and defect levels; energy states of adsorbed species Sciences appliquees Applied sciences Energie Energy Energie naturelle Natural energy Energie solaire Solar energy Conversion photovoltaïque Photovoltaic conversion Composé minéral Inorganic compound Compuesto inorgánico Métal transition composé Transition metal compounds Bande interdite Energy gap Banda prohibida Capacité électrique Capacitance Capacitancia Cellule solaire Solar cell Célula solar Composition chimique Chemical composition Composición química Composé quaternaire Quaternary compound Compuesto cuaternario Conductivité électrique Electrical conductivity Conductividad eléctrica Cuivre séléniure Copper selenides Densité défaut Defect density Densidad defecto Eclairement Illumination Alumbrado Etat défaut Defect states Etat métastable Metastable state Estado metastable Etude expérimentale Experimental study Estudio experimental Gallium séléniure Gallium selenides Indium séléniure Indium selenides Interface Interfase Niveau profond Deep level Nivel profundo Piégeage porteur charge Charge carrier trapping Captura portador carga Polycristal Polycrystal Policristal Porteur majoritaire Majority carrier Portador mayoritario Cu Ga In Se CuIn1-xGaxSe2 Défaut interface Interface defect CuGaSe2 CuInSe2 Defects Solar cells
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Conference Paper File Description: text Language: English Author Affiliations: Department of Physics, University of Oregon, Eugene, OR 97403, United States ; Institute of Energy Conversion, University of Delaware, Newark, DE 19716, United States Rights: Copyright 2003 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Energy ; Physics of condensed state: electronic structure, electrical, magnetic and optical properties

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