Effect of high hydrostatic pressure during annealing on silicon implanted with oxygen

MISIUK, A ; BARCZ, A ; et al.

In: Proceedings of the 4th International Conference on Materials for Microelectronics and NanoEngineering - Espoo, Finland, 10-12 June 2002Journal of materials science. Materials in electronics 14(5-7):295-298; Jg. 14 (2003) 5-7, S. 295-298

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The effect of annealing of oxygen-implanted silicon (Si : O, oxygen doses 3.5 x 1017 cm-2 and 6 x 1017 cm-2; energy 140 keV and 170 keV) at high temperatures (HT, up to 1570 K) under enhanced hydrostatic pressure (HP, up to 1.2 GPa) for 5 h is investigated by means of structure-sensitive methods. It has been shown that the kind and concentration of defects created at HT-HP in Si : O and the homogeneity of the buried SiO2 layer are markedly dependent on external stress applied at HT. Some differences between the formation processes of SiO2 under normal conditions and at HP are discussed.

Titel:	Effect of high hydrostatic pressure during annealing on silicon implanted with oxygen
Autor/in / Beteiligte Person:	MISIUK, A ; BARCZ, A ; RATAJCZAK, J ; BRYJA, L
Link:	Volltext (PDF) View record from PASCAL Archive
Quelle:	Proceedings of the 4th International Conference on Materials for Microelectronics and NanoEngineering - Espoo, Finland, 10-12 June 2002Journal of materials science. Materials in electronics 14(5-7):295-298; Jg. 14 (2003) 5-7, S. 295-298
Veröffentlichung:	Norwell, MA: Springer, 2003
Medientyp:	Konferenz
Umfang:	print, 13 ref
ISSN:	0957-4522 (print)
Schlagwort:	Electronics Electronique Condensed state physics Physique de l'état condensé Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Physique Physics Etat condense: structure, proprietes mecaniques et thermiques Condensed matter: structure, mechanical and thermal properties Structure des liquides et des solides; cristallographie Structure of solids and liquids; crystallography Défauts et impuretés dans les cristaux; microstructure Defects and impurities in crystals; microstructure Dopage et implantation d'impuretés dans le germanium et le silicium Doping and impurity implantation in germanium and silicon Addition oxygène Oxygen additions Couche enterrée Buried layers Densité défaut Defect density Densidad defecto Dislocation Dislocations Formation défaut Defect formation Formación defecto Haute pression High pressure Implantation ion Ion implantation Joint macle Twin boundaries Microstructure Photoluminescence Précipité Precipitates Recuit Annealing Silicium Silicon 6172T Si:O
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Conference Paper File Description: text Language: English Author Affiliations: Institute of Electron Technology, Al. Lotnikow 46, 02-668 Warsaw, Poland ; Wroclaw University of Technology, Wyb. Wyspianskiego 27, 50-370 Wroclaw, Poland Rights: Copyright 2003 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Physics of condensed state: structure, mechanical and thermal properties

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