Une nouvelle technologie d'appareils de dépôt chimique en phase vapeur. Partie 1 : Présentation et analyse des résultats expérimentaux / A new technology for CVD reactors. Part 1 : Presentation and analysis of experimental results

VERGNES, Hugues ; DUVERNEUIL, Patrick ; et al.

In: Canadian journal of chemical engineering, Jg. 78 (2000), Heft 4, S. 793-802

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This paper presents a new technology for CVD reactors, developed in order to solve several practical problems which limit the efficiency of thin films manufactured in the microelectronic industry. This technology can be scaled down into a perfectly representative small scale pilot plant, very useful for a more rational development of new industrial applications. The first part of the article deals with a description of the equipment, presentation and analysis of a series of experimental results. Four different deposits, of increasing complexity, have been selected for a detailed comparison between the new technology and the classical equipment used in the microelectronic industry.

Titel:	Une nouvelle technologie d'appareils de dépôt chimique en phase vapeur. Partie 1 : Présentation et analyse des résultats expérimentaux / A new technology for CVD reactors. Part 1 : Presentation and analysis of experimental results
Autor/in / Beteiligte Person:	VERGNES, Hugues ; DUVERNEUIL, Patrick ; COUDERC, Jean-Pierre
Link:	Full Text Finder (Volltext) View record from PASCAL Archive
Zeitschrift:	Canadian journal of chemical engineering, Jg. 78 (2000), Heft 4, S. 793-802
Veröffentlichung:	Malden, MA: Wiley, 2000
Medientyp:	academicJournal
Umfang:	print, 22 ref
ISSN:	0008-4034 (print)
Schlagwort:	Chemical engineering Génie chimique Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Physique Physics Domaines interdisciplinaires: science des materiaux; rheologie Cross-disciplinary physics: materials science; rheology Science des matériaux Materials science Méthodes de dépôt de films et de revêtements; croissance de films et épitaxie Methods of deposition of films and coatings; film growth and epitaxy Dépôt chimique en phase vapeur (incluant le cvd activé par plasma, mocvd, etc.) Chemical vapor deposition (including plasma-enhanced cvd, mocvd, etc.) Sciences appliquees Applied sciences Electronique Electronics Electronique des semiconducteurs. Microélectronique. Optoélectronique. Dispositifs à l'état solide Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Fabrication microélectronique (technologie des matériaux et des surfaces) Microelectronic fabrication (materials and surfaces technology) Genie chimique Réacteurs Reactors Chemical vapor deposition (including plasma-enhanced CVD, MOCVD, etc.) Non métal Non metal No metal Addition phosphore Phosphorus addition Adición fósforo Basse pression Low pressure Baja presión Caractéristique appareillage Equipment specifications Característica equipo Configuration annulaire Annular configuration Configuración anular Croissance cristalline en phase vapeur Crystal growth from vapors Disilane Disilano Dopage Doping Dépôt chimique phase vapeur Chemical vapor deposition Depósito químico fase vapor Echelle pilote Pilot plant scale Escala piloto Fabrication microélectronique Microelectronic fabrication Fabricación microeléctrica In situ Matériau dopé Doped materials Modèle réduit Scale model Modelo reducido Performance Rendimiento Polycristal Polycrystal Policristal Précurseur Precursor Réacteur chimique Chemical reactor Reactor químico Semiconducteur Semiconductor materials Semiconductor(material) Silane Silano Silicium Oxyde Silicon Oxides Silicio Óxido Silicium Silicon Silicio Vertical Réacteur annulaire Réacteur secteur SIPOS
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: French Original Material: INIST-CNRS Document Type: Article File Description: text Language: French Author Affiliations: LGC, UMR 5503 du CNRS, ENSIGC, Chemin de la Loge, 31078 Toulouse, France Rights: Copyright 2000 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Chemical engineering ; Electronics ; Physics and materials science

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