Comparative study of LPE and VPE silicon thin film on porous sacrificial layer

FAVE, A ; QUOIZOLA, S ; et al.

In: Proceedings of Symposium D on Thin Film and Nano-Structured Materials for Photovoltaics, of the E-MRS 2003 Spring Conference, Strasbourg, France, June 10-13, 2003Thin solid films 451-52:308-311; Jg. 451-52 (2004) S. 308-311

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Wie komme ich dran?

Thin film single crystal silicon on foreign substrate is an attractive way to realize cheap and efficient photovoltaic devices. In this paper we will compare epitaxial growth of silicon thin film on double porous sacrificial layers obtained by liquid or vapor phase epitaxy (LPE or VPE). Porous silicon is formed by electrochemical anodisation of monocrystalline silicon in a HF/ethanol solution. VPE is achieved in an atmospheric pressure chemical vapor deposition (APCVD) reactor under H2 atmosphere. Growth rate is in between 0.5-3 μm/min. LPE is realised in a graphite sliding boat using indium or tin as solvent. Growth rate is in the range 0.1-1 μm/min depending on the temperature, the cooling rate and the solvent. We discuss the substrate orientation, temperature, growth rate, layer homogeneity and electrical properties of the epilayers for both growing techniques. Diffusion length and mobility are measured respectively with LBIC and Hall effect technique. The values obtained for p-type (μ>100 V/cm2/s and Ln>100 μm) allows the realisation of solar cell using interdigitated technology on the top of this layer, which is detached and transferred onto mullite substrate.

Titel:	Comparative study of LPE and VPE silicon thin film on porous sacrificial layer
Autor/in / Beteiligte Person:	FAVE, A ; QUOIZOLA, S ; KRAIEM, J ; KAMINSKI, A ; LEMITI, M ; LAUGIER, A
Link:	E-Journal im Bestand der UB Hagen? View record from PASCAL Archive
Quelle:	Proceedings of Symposium D on Thin Film and Nano-Structured Materials for Photovoltaics, of the E-MRS 2003 Spring Conference, Strasbourg, France, June 10-13, 2003Thin solid films 451-52:308-311; Jg. 451-52 (2004) S. 308-311
Veröffentlichung:	Lausanne: Elsevier Science, 2004
Medientyp:	Konferenz
Umfang:	print, 10 ref
ISSN:	0040-6090 (print)
Schlagwort:	Crystallography Cristallographie cristallogenèse Electronics Electronique Metallurgy, welding Métallurgie, soudage Condensed state physics Physique de l'état condensé Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Physique Physics Domaines interdisciplinaires: science des materiaux; rheologie Cross-disciplinary physics: materials science; rheology Science des matériaux Materials science Méthodes de dépôt de films et de revêtements; croissance de films et épitaxie Methods of deposition of films and coatings; film growth and epitaxy Epitaxie en phase vapeur; croissance en phase vapeur Vapor phase epitaxy; growth from vapor phase Epitaxie en phase liquide; dépôt en phase liquide (phases fondues, solutions et couches superficielles sur des liquides) Liquid phase epitaxy; deposition from liquid phases (melts, solutions, and surface layers on liquids) Sciences appliquees Applied sciences Energie Energy Energie naturelle Natural energy Energie solaire Solar energy Conversion photovoltaïque Photovoltaic conversion Cellules solaires. Cellules photoélectrochimiques Solar cells. Photoelectrochemical cells Photoelectric conversion: solar cells and arrays Composé minéral Inorganic compound Compuesto inorgánico Anodisation Anodizing Anodización Cellule solaire Solar cell Célula solar Couche mince Thin film Capa fina Couche épitaxique Epitaxial film Capa epitáxica Croissance cristalline en phase vapeur Crystal growth from vapors Croissance cristalline en solution Crystal growth from solutions Dépendance température Temperature dependence Dépôt électrolytique Electrodeposition Depósito electrolítico Effet Hall Hall effect Efecto Hall Epitaxie phase liquide LPE Epitaxie phase vapeur VPE Etude expérimentale Experimental study Estudio experimental Matériau poreux Porous material Material poroso Méthode phase liquide Growth from liquid Método fase líquida Semiconducteur Semiconductor materials Semiconductor(material) Silicium Silicon Silicio Solution alcoolique Alcoholic solution Solución alcohólica Taux croissance Growth rate Tasa crecimiento Si Substrat Si
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Conference Paper File Description: text Language: English Author Affiliations: Laboratoire de Physique de la Matière, UMR-CNRS 5511, INSA de Lyon, Bat. B. Pascal, 7 avenue Jean Capelle, 69621 Villeurbanne, France Rights: Copyright 2004 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Energy ; Physics and materials science

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