Classical and dynamic analysis of gas phase reactivity: Influence of carbon precursor in the CVD of SiC

DE PERSIS, Stéphanie ; TEYSSANDIER, Francis ; et al.

In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 151 (2004), Heft 4, S. C236- (9S.)

academicJournal - print, 35 ref

The intrinsic low dimensional manifold method (ILDM), which is a reduction method of large gaseous chemical systems, is applied to the gas-phase chemistry used to deposit 4H or 6H silicon carbide (SiC). The 1-dimensional (1-D) manifold corresponding to the relaxation of all the fast reaction modes of the complex gaseous chemical system is calculated and represented according to different projections in the state space. The ILDM method is also used to compare trajectories corresponding to various initial gas-phase compositions. These initial gas-phase mixtures, which include different carbon precursors, all converge towards the same thermodynamic equilibrium. Long before thermodynamic equilibrium is reached, the trajectories are attracted by the 1-D manifold.

Titel:	Classical and dynamic analysis of gas phase reactivity: Influence of carbon precursor in the CVD of SiC
Autor/in / Beteiligte Person:	DE PERSIS, Stéphanie ; TEYSSANDIER, Francis ; THEVENIN, Dominique ; DARABIHA, Nasser
Link:	View record from PASCAL Archive
Zeitschrift:	Journal of the Electrochemical Society, Jg. 151 (2004), Heft 4, S. C236- (9S.)
Veröffentlichung:	Pennington, NJ: Electrochemical Society, 2004
Medientyp:	academicJournal
Umfang:	print, 35 ref
ISSN:	0013-4651 (print)
Schlagwort:	General chemistry, physical chemistry Chimie générale, chimie physique Crystallography Cristallographie cristallogenèse Electrical engineering Electrotechnique Condensed state physics Physique de l'état condensé Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Physique Physics Domaines interdisciplinaires: science des materiaux; rheologie Cross-disciplinary physics: materials science; rheology Science des matériaux Materials science Méthodes de dépôt de films et de revêtements; croissance de films et épitaxie Methods of deposition of films and coatings; film growth and epitaxy Théorie et modèles de la croissance de films Theory and models of film growth Composition phase Phase composition Composición fase Dépôt chimique phase vapeur CVD Equilibre phase Phase equilibria Etude théorique Theoretical study Modèle 2 dimensions Two dimensional model Modelo 2 dimensiones Modèle thermodynamique Thermodynamic model Silicium carbure Silicon carbides
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Article File Description: text Language: English Author Affiliations: Institut de Science et de Génie des Matériaux et Procédés (IMP), CNRS, TECNOSUD, Rambla de la Thermodynamique, 66100 Perpignan, France ; Laboratoire d'Energétique Moléculaire et Macroscopique, Combustion (EM2C), Ecole Centrale de Paris, 92295 Chatenay Malabry, France Rights: Copyright 2004 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Physics and materials science

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