Operating characteristics of InGaAsP/GaAs SCH SQW high power lasers by LPE

GAO, X ; BO, B ; et al.

In: Semiconductors lasers III (Beijing, 18-19 September 1998)SPIE proceedings series :118-120

Konferenz - print, 4 ref

A detailed operating characteristics of InGaAsP/GaAs separate confinement heterostructure (SCH) single-quantum-well (SQW) wide-stripe lasers emitting at 808 nm grown by liquid phase epitaxy (LPE) is reported. The temperature dependences of the lasing wavelength λ, the threshold current density Jth and differential quantum efficiency ηd are studied The effects of the cavity length L on the threshold current density Jth and the differential quantum efficiency ηd are studied The threshold current density Jth increases with increasing temperature T. But the increase of Jth with temperature T is slightly deviated form the exponential dependence. The data fitting of Jth with between 10 °C and 40 °C demonstrates a record characteristic temperature To of 218K, indicating a minor influence of temperature on Jth.

Titel:	Operating characteristics of InGaAsP/GaAs SCH SQW high power lasers by LPE
Autor/in / Beteiligte Person:	GAO, X ; BO, B ; QU, Y ; ZHANG, B ; WANG, Y ; WANG, L ; YANG, L ; SONG, X ; ZHANG, X
Link:	View record from PASCAL Archive
Quelle:	Semiconductors lasers III (Beijing, 18-19 September 1998)SPIE proceedings series :118-120
Veröffentlichung:	Bellingham WA: SPIE, 1998
Medientyp:	Konferenz
Umfang:	print, 4 ref
Schlagwort:	Electronics Electronique Optics Optique Physics Physique Telecommunications Télécommunications Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Domaines classiques de la physique (y compris les applications) Fundamental areas of phenomenology (including applications) Lasers Lasers à semiconducteur; diodes laser Semiconductor lasers; laser diodes Caractéristique fonctionnement Performance characteristic Característica funcionamiento Composé binaire Binary compounds Composé quaternaire Quaternary compounds Epitaxie Epitaxy Gallium Arséniure Gallium Arsenides Grande puissance High power Gran potencia Indium Phosphure Indium Phosphides Laser SCH SCH lasers Laser semiconducteur Semiconductor lasers Phase liquide Liquid phase Puits quantique Quantum wells
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Conference Paper File Description: text Language: English Author Affiliations: The State Key Lab on High-power Semiconductor Lasers, Changchun Institute of Optical and Fine Mechanics, Changchun, 130022, China Rights: Copyright 1999 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Physics: optics

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