Fabrication concept for a CMOS-compatible electrostatically driven surface MEMS switch for RF applications

HARMS, K. U ; HORSTMANN, J. T

In: Proceedings of the 29th Conference on Micro and Nano Engineering, September 22-25, 2003, Cambridge, United KingdomMicroelectronic engineering 73-74:468-473; Jg. 73-74 (2004) S. 468-473

Konferenz - print, 8 ref

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This paper presents the concept for a completely CMOS-compatible integrated surface RF MEMS switch using the electrostatic actuating principle. Since the CMOS process with 14 lithography and 140 process steps is much more complicated than the process for the MEMS switch, the CMOS process was only slightly modified. The major change to the standard-CMOS process is the use of a highly resistive substrate of at least 1000 Ωcm. This is very important for RF applications to get low loss. The results of an electrical simulation show only negligible difference in the electrical behaviour of the CMOS circuit at a very high control-voltage of the MEMS switch of up to 100 V.

Titel:	Fabrication concept for a CMOS-compatible electrostatically driven surface MEMS switch for RF applications
Autor/in / Beteiligte Person:	HARMS, K. U ; HORSTMANN, J. T
Link:	E-Journal im Bestand der UB Hagen? View record from PASCAL Archive
Quelle:	Proceedings of the 29th Conference on Micro and Nano Engineering, September 22-25, 2003, Cambridge, United KingdomMicroelectronic engineering 73-74:468-473; Jg. 73-74 (2004) S. 468-473
Veröffentlichung:	Amsterdam: Elsevier Science, 2004
Medientyp:	Konferenz
Umfang:	print, 8 ref
ISSN:	0167-9317 (print)
Schlagwort:	Electronics Electronique Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Sciences appliquees Applied sciences Electronique des semiconducteurs. Microélectronique. Optoélectronique. Dispositifs à l'état solide Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Circuits intégrés Integrated circuits Conception. Technologies. Analyse fonctionnement. Essais Design. Technologies. Operation analysis. Testing Dispositifs diélectriques et dispositifs à base de verre et de solides amorphes Dielectric, amorphous and glass solid devices Dispositifs micro- et nanoélectromécaniques (mems/nems) Micro- and nanoelectromechanical devices (mems/nems) Circuits électriques, optiques et optoélectroniques Electric, optical and optoelectronic circuits Propriétés des circuits Circuit properties Circuits électroniques Electronic circuits Circuits de commutation, de multiplexage, à capacités commutées Switching, multiplexing, switched capacity circuits Caractéristique électrique Electrical characteristic Característica eléctrica Circuit intégré CMOS CMOS integrated circuits Commande tension Voltage control Control tensión Commutateur Selector switch Conmutador Dispositif microélectromécanique Microelectromechanical device Dispositivo microelectromecánico Dispositif électrostatique Electrostatic devices Fabrication microélectronique Microelectronic fabrication Fabricación microeléctrica Haute tension High voltage Alta tensión Lithographie Lithography Litografía Simulation électrique Electrical simulation Simulación eléctrica Technologie MOS complémentaire Complementary MOS technology Tecnología MOS complementario CMOS Microelectromechanical systems RF switch Surface MEMS
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Conference Paper File Description: text Language: English Author Affiliations: University of Dortmund, Emil-Figge-Str. 68, 44227 Dortmund, Germany Rights: Copyright 2004 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Electronics

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