Einzeltreffer — DigiBib

Perovskite LaNiO3 (LNO) thin films with a strong (10 0)-orientation were fabricated on yttrium-stabilized-zirconia (YSZ)-buffered silicon substrates using a sol-gel method. The YSZ buffer layer showed a stable tetragonal phase, and proved to be effective to suppress inter-diffusion between the Si substrates and the LNO films. Our obtained LNO films on the YSZ buffer layer exhibited a homogenous and smooth surface, with an average grain size below 0.1 μm. The resistivity of the LNO films was in the magnitude order of 10-4 Ω cm. The crystallographic orientation and low resistivity make the sol-gel derived LNO films very attractive as the bottom electrode layer for perovskite oxide ceramic thin films.

Titel:	Sol-gel derived LaNiO3 thin films on ZrO2-buffered (100) Si substrates
Autor/in / Beteiligte Person:	SHUHUI, YU ; KUI, YAO ; TAY ENG HOCK, Francis
Link:	E-Journal im Bestand der UB Hagen? View record from PASCAL Archive
Quelle:	3rd Asian Meeting on ElectroceramicsCeramics international 30(7):1253-1256; Jg. 30 (2004) 7, S. 1253-1256
Veröffentlichung:	Kidlington: Elsevier Science, 2004
Medientyp:	Konferenz
Umfang:	print, 17 ref
ISSN:	0272-8842 (print)
Schlagwort:	Chemical industry parachemical industry Industrie chimique et parachimique Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Physique Physics Domaines interdisciplinaires: science des materiaux; rheologie Cross-disciplinary physics: materials science; rheology Science des matériaux Materials science Méthodes de dépôt de films et de revêtements; croissance de films et épitaxie Methods of deposition of films and coatings; film growth and epitaxy Epitaxie en phase liquide; dépôt en phase liquide (phases fondues, solutions et couches superficielles sur des liquides) Liquid phase epitaxy; deposition from liquid phases (melts, solutions, and surface layers on liquids) Composé minéral Inorganic compounds Lanthanide composé Rare earth compounds Métal transition composé Transition element compounds Conductivité électrique Electrical conductivity Couche mince Thin films Couche tampon Buffer layer Capa tampón Croissance cristalline en solution Crystal growth from solutions Diffraction RX XRD Etude expérimentale Experimental study Lanthane Nickel Oxyde Mixte Lanthanum Nickel Oxides Mixed Mixto Lanthane oxyde Lanthanum oxides Microscopie électronique balayage Scanning electron microscopy Morphologie Morphology Nickel Oxyde Nickel Oxides Orientation cristalline Crystal orientation Orientation préférentielle Preferred orientation Orientación preferencial Oxyde Oxides Perovskites Procédé sol gel Sol-gel process La Ni O LaNiO3
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Conference Paper File Description: text Language: English Author Affiliations: Institute of Materials Research and Engineering (IMRE), 3 Research Link, 117602 Singapore, Singapore Rights: Copyright 2004 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Physics and materials science

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Sol-gel derived LaNiO3 thin films on ZrO2-buffered (100) Si substrates