Apport des techniques XRFS et LEEIXS à l'étude de la formation de films de silice sur acier par PACVD / XRFS and LEEIXS techniques used in the study of the PACVD growth of silica films on stainless steel substrates

BAHLAWANE, N ; CHARBONNIER, M ; et al.

In: RX 97: Colloque Rayons X et MatièreJournal de physique. IV 8(5):271-278; Jg. 8 (1998) 5, S. 271-278

Konferenz - print, 14 ref

Deux méthodes d'émission X (XRFS et LEEIXS) ont été utilisées pour caractériser des films minces organosilanés déposés par polymérisation plasma (procédé PACVD) sur des substrats d'acier inoxydable. Les mesures d'épaisseur ont été réalisées par XRFS et les déterminations de variation de composition ou d'effets chimiques en fonction de divers paramètres expérimentaux ont été effectuées par LEEIXS. Cette dernière méthode, très sensible à la détection des éléments légers, a permis d'optimiser les conditions d'élaboration pour obtenir des dépôts de silice pure.

Titel:	Apport des techniques XRFS et LEEIXS à l'étude de la formation de films de silice sur acier par PACVD / XRFS and LEEIXS techniques used in the study of the PACVD growth of silica films on stainless steel substrates
Autor/in / Beteiligte Person:	BAHLAWANE, N ; CHARBONNIER, M ; ROMAND, M
Link:	View record from PASCAL Archive
Quelle:	RX 97: Colloque Rayons X et MatièreJournal de physique. IV 8(5):271-278; Jg. 8 (1998) 5, S. 271-278
Veröffentlichung:	Les Ulis: EDP sciences, 1998
Medientyp:	Konferenz
Umfang:	print, 14 ref
ISSN:	1155-4339 (print)
Schlagwort:	Physics Physique Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Etat condense: structure, proprietes mecaniques et thermiques Condensed matter: structure, mechanical and thermal properties Structure des liquides et des solides; cristallographie Structure of solids and liquids; crystallography Diffraction et diffusion de rayons x X-ray diffraction and scattering Surfaces et interfaces; couches minces et trichites (structure et propriétés non électroniques) Surfaces and interfaces; thin films and whiskers (structure and nonelectronic properties) Structure et morphologie de couches minces Thin film structure and morphology Domaines interdisciplinaires: science des materiaux; rheologie Cross-disciplinary physics: materials science; rheology Science des matériaux Materials science Méthodes de dépôt de films et de revêtements; croissance de films et épitaxie Methods of deposition of films and coatings; film growth and epitaxy Dépôt chimique en phase vapeur (incluant le cvd activé par plasma, mocvd, etc.) Chemical vapor deposition (including plasma-enhanced cvd, mocvd, etc.) Chemical vapor deposition (including plasma-enhanced CVD, MOCVD, etc.) Composé minéral Inorganic compounds Analyse chimique Chemical analysis Composition chimique Chemical composition Couche mince Thin films Croissance cristalline en phase vapeur Crystal growth from vapors Electron lent Low energy electron Electrón lento Epaisseur Thickness Etude expérimentale Experimental study Mode opératoire Operating mode Método operatorio Méthode PECVD PECVD Non stoechiométrie Nonstoichiometry Silicium oxyde Silicon oxides Spectrométrie RX X-ray spectroscopy Structure fine Fine structure O Si SiO2
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: French Original Material: INIST-CNRS Document Type: Conference Paper File Description: text Language: French Author Affiliations: Laboratoire de Sciences et Ingénierie des Surfaces, Université Claude Bernard Lyon 1, 69622 Villeurbanne, France Rights: Copyright 1999 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Physics and materials science ; Physics of condensed state: structure, mechanical and thermal properties

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