A CMOS active pixel image sensor with in-pixel CDS for high-speed cameras

INOUE, Torn ; TAKEUCHI, Shinji ; et al.

In: Sensors and camera systems for scientific, industrial, and digital photography applications V (San Jose CA, 19-21 January 2004)SPIE proceedings series :250-257

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This paper presents a high-speed CMOS image sensor whose frame rate exceeds 2000 frames/s. The pixel includes a photodiode, a charge-transfer amplifier, and circuitry for correlated double sampling (CDS) and global electronic shuttering. Reset noise, which is a major random noise factor, is reduced by the CDS combined with the charge-transfer amplifier. The total number of devices in the pixel is 11 transistors and 2 MOS capacitors. Test circuits were fabricated using a 0.25μm CMOS process. The sensitivity of the 20 x 20μm2 pixel using the floating diffusion capacitor of 6.2fF and the photodiode area of 15 x 12.7μm2 is 34V/lux-sec. At 1000frames/sec, noise level is 2.43mVrms (dark). The noise level and the sensitivity are greatly improved compared with a 3Tr. type APS implemented with the same technology and a previous version of the APS with in-pixel CDS.

Titel:	A CMOS active pixel image sensor with in-pixel CDS for high-speed cameras
Autor/in / Beteiligte Person:	INOUE, Torn ; TAKEUCHI, Shinji ; KAWAHITO, Shoji
Link:	View record from PASCAL Archive
Quelle:	Sensors and camera systems for scientific, industrial, and digital photography applications V (San Jose CA, 19-21 January 2004)SPIE proceedings series :250-257
Veröffentlichung:	Bellingham WA: SPIE, 2004
Medientyp:	Konferenz
Umfang:	print, 10 ref
Schlagwort:	Electronics Electronique Metrology and instrumentation Métrologie et instrumentation Optics Optique Physics Physique Telecommunications Télécommunications Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Sciences appliquees Applied sciences Electronique des semiconducteurs. Microélectronique. Optoélectronique. Dispositifs à l'état solide Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Circuits intégrés Integrated circuits Conception. Technologies. Analyse fonctionnement. Essais Design. Technologies. Operation analysis. Testing Dispositifs optoélectroniques Optoelectronic devices Dispositifs à images Imaging devices Circuits électriques, optiques et optoélectroniques Electric, optical and optoelectronic circuits Propriétés des circuits Circuit properties Circuits électroniques Electronic circuits Amplificateurs Amplifiers Amplificateur Amplifier Amplificador Bruit aléatoire Random noise Ruido aleatorio Capteur image CMOS CMOS image sensors Conception pour test Design for testability Condensateur MOS MOS capacitor Capacidad MOS Dispositif optoélectronique Optoelectronic device Dispositivo optoelectrónico Détecteur image Image sensor Detector imagen Echantillonnage Sampling Muestreo Facteur bruit Noise factor Factor ruido Niveau bruit Noise level Nivel ruido Photodiode Fotodiodo Réduction bruit Noise reduction Reducción ruido Technologie MOS complémentaire Complementary MOS technology Tecnología MOS complementario Transfert charge Charge transfer Transferencia carga Transistor MOS MOS transistor
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Conference Paper File Description: text Language: English Author Affiliations: PHOTRON LTD., Fujimi 1-1-8, Chiyoda-ku 102-0071, Japan ; Research Institute of Electronics, Shizuoka University, Johoku 3-5-1, Hamamatsu 432-8011, Japan Rights: Copyright 2004 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Electronics

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