Einzeltreffer — DigiBib

The question of buried-oxide (BOX) thickness scaling for nanoscale fully depleted (FD) silicon-on-insulator (SOI) CMOS is addressed via insightful quantitative and qualitative analyses. Whereas, FD/SOI MOSFETs with thin BOX give better control of short-channel effects (SCEs), they complicate the material and/or process technologies and undermine CMOS speed. We show that the improved SCE control afforded by thin BOX is due to high transverse electric field in the body defined by the device asymmetry, and not only to the suppression of electric-field fringing in the BOX as is commonly presumed. Since conventional FD/SOI CMOS with thick BOX can be scaled via ultrathin bodies, we conclude that thin BOX is not needed nor desirable.

Titel:	Nanoscale FD/SOI CMOS: Thick or thin box?
Autor/in / Beteiligte Person:	TRIVEDI, V. P ; FOSSUM, J. G
Link:	Volltext View record from PASCAL Archive
Zeitschrift:	IEEE electron device letters, Jg. 26 (2005), Heft 1, S. 26-28
Veröffentlichung:	New York, NY: Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2005
Medientyp:	academicJournal
Umfang:	print, 20 ref
ISSN:	0741-3106 (print)
Schlagwort:	Electronics Electronique Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Sciences appliquees Applied sciences Electronique des semiconducteurs. Microélectronique. Optoélectronique. Dispositifs à l'état solide Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors Circuits intégrés Integrated circuits Conception. Technologies. Analyse fonctionnement. Essais Design. Technologies. Operation analysis. Testing Analyse quantitative Quantitative analysis Análisis cuantitativo Canal court Short channel Canal corto Champ transversal Transverse field Campo transversal Champ électrique Electric field Campo eléctrico Couche appauvrissement Depletion layer Capa empobrecimiento Couche ultramince Ultrathin films Technologie MOS complémentaire Complementary MOS technology Tecnología MOS complementario Technologie silicium sur isolant Silicon on insulator technology Tecnología silicio sobre aislante Transistor MOSFET MOSFET Buried-oxide (BOX) thickness fully depleted (FD) silicon-on-insulator (SOI) CMOS ultrathin-body (UTB) MOSFET
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Article File Description: text Language: English Author Affiliations: Department of Electrical and Computer Engineering University of Florida, Gainesville, FL 32611-6130, United States Rights: Copyright 2005 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Electronics

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Nanoscale FD/SOI CMOS: Thick or thin box?