Ultra-shallow junction formation by gas immersion laser doping (GILD) on silicon bulk and SOI substrate

HERNANDEZ, M ; SARNET, T ; et al.

In: Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices (Paris, 27 April - 2 May 2003)Proceedings - Electrochemical Society :145-151

Konferenz - print, 12 ref

Wie komme ich dran?

Gas Immersion Laser Doping (GILD) is a very attractive technique to realize the ultra-shallow and highly doped junctions required by the International Technology Roadmap for Semiconductors for future CMOS technologies. In this paper, we present some results of junctions realized by GILD and we show the interest of excimer laser annealing. The laser-processed samples have been characterized by four-point probes and Secondary Ion Mass Spectroscopy. Junction formation has been controlled using in-situ transient reflectivity. These results show that this technique could be an attractive solution for CMOS ultimate junctions.

Titel:	Ultra-shallow junction formation by gas immersion laser doping (GILD) on silicon bulk and SOI substrate
Autor/in / Beteiligte Person:	HERNANDEZ, M ; SARNET, T ; DEBARRE, D ; BOULMER, J ; KERRIEN, G ; LAVIRON, C ; SEMERIA, M. N
Link:	View record from PASCAL Archive
Quelle:	Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices (Paris, 27 April - 2 May 2003)Proceedings - Electrochemical Society :145-151
Veröffentlichung:	Pennington NJ: Electrochemical Society, 2003
Medientyp:	Konferenz
Umfang:	print, 12 ref
ISSN:	0161-6374 (print)
Schlagwort:	General chemistry, physical chemistry Chimie générale, chimie physique Electronics Electronique Electrical engineering Electrotechnique Energy Énergie Physics Physique Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Sciences appliquees Applied sciences Electronique des semiconducteurs. Microélectronique. Optoélectronique. Dispositifs à l'état solide Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Circuits intégrés Integrated circuits Conception. Technologies. Analyse fonctionnement. Essais Design. Technologies. Operation analysis. Testing Dopage Doping Facteur réflexion Reflectance Coeficiente reflexión In situ Jonction peu profonde Shallow junction Unión poco profunda Laser excimère Excimer lasers Laser gaz Gas laser Laser gas Matériau dopé Doped materials Recuit faisceau laser Laser beam annealing Sonde 4 pointes Four point probe Sonda 4 puntas Spectrométrie SIMS Secondary ion mass spectrometry Espectrometría SIMS Technologie MOS complémentaire Complementary MOS technology Tecnología MOS complementario Technologie silicium sur isolant Silicon on insulator technology Tecnología silicio sobre aislante
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Conference Paper File Description: text Language: English Author Affiliations: Institut d'Electronique Fondamentale, UMR CNRS 8622, University Paris-Sud, Orsay, 91405, France ; SOPRA, 26 rue Pierre Joigneaux, Bois-Colombes, 92270, France ; CEA/DRT/LETI/DTS, 17 avenue des Martyrs, Grenoble, 38054, France Rights: Copyright 2005 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Electronics

Klicken Sie ein Format an und speichern Sie dann die Daten oder geben Sie eine Empfänger-Adresse ein und lassen Sie sich per Email zusenden.

BibTeX Citavi, JabRef, u.a.
(Literaturverwaltung)

PDF kein Volltext!
(Merkzettel, Notizen)

RIS Endnote, Citavi u.a.
(Literaturverwaltung)

MODS
(XML zur Weiterverarbeitung)

oder

Wählen Sie das für Sie passende Zitationsformat und kopieren Sie es dann in die Zwischenablage, lassen es sich per Mail zusenden oder speichern es als PDF-Datei.

Gewünschter Zitations-Stil:

oder

Bitte prüfen Sie, ob die Zitation formal korrekt ist, bevor Sie sie in einer Arbeit verwenden. Benutzen Sie gegebenenfalls den "Exportieren"-Dialog, wenn Sie ein Literaturverwaltungsprogramm verwenden und die Zitat-Angaben selbst formatieren wollen.