The determination of carrier mobilities in CIGS photovoltaic devices using high-frequency admittance measurements

LEE, Jinwoo ; COHEN, J. David ; et al.

In: Proceedings of Symposium O on Thin Film Chalcogenide Photovoltaic Materials, EMRS 2004 Conference, Strasbourg, France, 24-28 May, 2004Thin solid films 480-81:336-340; Jg. 480-81 (2005) S. 336-340

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Wie komme ich dran?

We apply a new method to deduce the hole carrier mobilities of Cu(InGa)Se2 (CIGS) polycrystalline films that have been incorporated into working solar cell devices. Our approach extends admittance measurements to frequencies of nearly 100 MHz in order to observe the characteristic dielectric carrier freeze-out and thus deduce the resistivity of the undepleted bulk absorber region in these devices. This resistivity, together with carrier densities deduced using drive-level capacitance profiling have allowed us to obtain the hole mobilities in the temperature regime 125 to 200 K. Values in the range 3-22 cm2 V-1 s-1 are obtained. In addition, we have examined the changes in mobility that occur as a result of light-soaking these devices, after which the carrier density is roughly doubled. Implications of these results toward understanding carrier mobility in CIGS polycrystalline films are discussed.

Titel:	The determination of carrier mobilities in CIGS photovoltaic devices using high-frequency admittance measurements
Autor/in / Beteiligte Person:	LEE, Jinwoo ; COHEN, J. David ; SHAFARMAN, William N
Link:	E-Journal im Bestand der UB Hagen? View record from PASCAL Archive
Quelle:	Proceedings of Symposium O on Thin Film Chalcogenide Photovoltaic Materials, EMRS 2004 Conference, Strasbourg, France, 24-28 May, 2004Thin solid films 480-81:336-340; Jg. 480-81 (2005) S. 336-340
Veröffentlichung:	Lausanne: Elsevier Science, 2005
Medientyp:	Konferenz
Umfang:	print, 11 ref
ISSN:	0040-6090 (print)
Schlagwort:	Crystallography Cristallographie cristallogenèse Electronics Electronique Metallurgy, welding Métallurgie, soudage Condensed state physics Physique de l'état condensé Sciences exactes et technologie Exact sciences and technology Physique Physics Etat condense: structure electronique, proprietes electriques, magnetiques et optiques Condensed matter: electronic structure, electrical, magnetic, and optical properties Transport électronique Electronic transport in condensed matter Phénomènes de conductivité dans les semiconducteurs et les isolants Conductivity phenomena in semiconductors and insulators Porteurs de charges: génération, recombinaison, durée de vie et piégeage Charge carriers: generation, recombination, lifetime, and trapping Sciences appliquees Applied sciences Energie Energy Energie naturelle Natural energy Energie solaire Solar energy Conversion photovoltaïque Photovoltaic conversion Cellules solaires. Cellules photoélectrochimiques Solar cells. Photoelectrochemical cells Photoelectric conversion: solar cells and arrays Composé minéral Inorganic compound Compuesto inorgánico Métal transition composé Transition element compounds Admittance Admitancia Cellule solaire Solar cell Célula solar Composé quaternaire Quaternary compound Compuesto cuaternario Conductivité électrique Electrical conductivity Conductividad eléctrica Couche épaisse Thick film Capa espesa Cuivre séléniure Copper selenides Densité porteur charge Charge carrier density Concentración portador carga Dépendance température Temperature dependence Epaisseur Thickness Espesor Etat métastable Metastable state Estado metastable Etude expérimentale Experimental study Estudio experimental Gallium séléniure Gallium selenides Haute fréquence High frequency Alta frecuencia Indium séléniure Indium selenides Mobilité porteur charge Charge carrier mobility Movilidad portador carga Polycristal Polycrystal Policristal Cu Ga In Se Cu(In,Ga)Se2 Substrat verre CIGS Carrier mobilities High-frequency admittance measurements
Sonstiges:	Nachgewiesen in: PASCAL Archive Sprachen: English Original Material: INIST-CNRS Document Type: Conference Paper File Description: text Language: English Author Affiliations: Department of Physics, University of Oregon, Eugene, OR 97403, United States ; Institute of Energy Conversion, University of Delaware, Newark, DE 19716, United States Rights: Copyright 2005 INIST-CNRS ; CC BY 4.0 ; Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS Notes: Energy ; Physics of condensed state: electronic structure, electrical, magnetic and optical properties

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